[发明专利]一种LCOS微显示驱动面板制备方法

说明书

技术领域

本发明属于微显示驱动面板制备工艺领域，尤其涉及一种LCOS微显示驱动面板制备方法。

背景技术

硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon,LCOS)是一种液晶显示器(LCD)的新兴技术，是由Aurora Systems融合半导体CMOS集成电路与液晶两项技术的优势，于2000年开发出的一种高分辨率，低价格，反射式新型显示技术。它是一种将LCD直接制于单晶硅片上的新型液晶显示器件。单晶硅片上可将LCD的有源矩阵薄膜晶体管(AMTFT)，外部驱动电路及控制电路等全部制于上面,以此作为LCD的一块基板，与另一块作为公共电极的涂上透明导电层的玻璃基板共同封接成一个薄盒,注入液晶即可制成硅基液晶显示器件。

LCOS具有智能化、引线少、体积小、像素开口率高、分辨率高、光利用率高、显示方式多样化、易于实现彩色化、投资少、利于大批量生产等优点。同时又需要特殊的材料、工艺、设计、检测及配套等关键技术，提高了LCOS微显示技术的难度。

LCOS为反射型显示器件，外部强光源透过液晶层，照射到镜面反射电极上，经镜面电极反射入人眼，利用液晶层两端电压控制液晶层的透明度来控制反射出液晶层的光线的强度，实现灰度调制功能。由此可见，镜面反射电极对于LCOS非常关键。

发明内容

本发明的目的包括提供一种LCOS微显示驱动面板制备方法。LCOS像素区域镜面反射电极一般采用铝来制备，但是铝暴露在空气中极易氧化，反射率大大降低，并且光刻时为了降低铝膜反光对光刻精度的影响，往往须在铝膜表面再做一层TiN，进一步降低了表面反射率；另一方面，LCOS微显示的特点要求硅片表面平整度要高，标准CMOS工艺中铝膜厚度一般在则刻蚀铝所形成的台阶至少也是如果降低铝的厚度，则其工艺与标准CMOS工艺不兼容。本发明旨在解决上述技术问题。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的，一种LCOS微显示驱动面板制备工艺，包括以下步骤：

·硅衬底及集成电路器件制备；

·PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质；

·CMP(化学机械抛光)；

·铝布线步骤；

·刻通孔；

·溅射Ti/TiN和钨，反刻钨，形成钨塞；

·制备镜面反射电极；

·制备薄盒，灌装液晶。

在另一个实施方案中，进一步包括键合引出电路管脚以及成品测试的步骤。

在又一个实施方案中，所述镜面反射电极通过像素表面蒸发形成。

优选地，所述镜面反射电极采用银来制作。

在一个实施方案中，所述制备镜面反射电极的步骤具体为依次进行光刻、蒸银、剥离银。

在一个优选的实施方案中，其包括以下工艺步骤：

(1)硅衬底及集成电路器件制备；

(2)PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质一；

(3)CMP(化学机械抛光)，保证硅片表面平整度；

(4)光刻并刻蚀接触孔；

(5)溅射铝并光刻、刻蚀，形成一铝布线；

(6)PECVD介质二

(7)CMP；

(8)刻一次通孔；

(9)二铝布线；

(10)PEECVD介质三

(11)CMP；

(12)刻二次通孔；

(13)溅射Ti/TiN和钨，反刻钨，形成钨塞；

(14)蒸银；

(15)剥离银，形成银反射电极；

(16)制备薄盒，灌装液晶；

(17)键合引出电路管脚；

(18)成品测试。

本发明提供的LCOS微显示驱动面板制备工艺具有如下有益效果：本发明用银代替铝制备镜面反射电极，提高了镜面反射电极反射率和抗氧化性，另外，亦可降低由于铝刻蚀工艺所形成的台阶高度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的LCOS未显示驱动面板制备方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的AFM测试所得像素区域表面形貌示意图。

具体实施方式