[发明专利]一种基于铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法有效
| 申请号： | 201410459336.4 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104250723B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 郑直;程佳美;雷岩;贾会敏;何伟伟;贺盈盈 | 申请（专利权）人： | 许昌学院;郑直 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C22/02;C23C8/08 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 单质 薄膜 原位 大面积 控制 合成 钙钛矿型 ch3nh3pbi3 材料 化学 方法 | ||
1. 一种基于金属铅单质薄膜原位大面积控制合成钙钛矿型CH3NH3PbI3薄膜材料的化学方法，其特征在于：在基底表面溅射铅单质薄膜，然后将具有铅单质薄膜的基底材料水平浸泡于含有单质碘和碘化甲胺的有机溶液中，恒温反应即可原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料；或将具有铅单质薄膜的基底材料放入单质碘蒸气氛围中先碘化生成碘化铅薄膜，再浸入碘化甲胺的有机溶液中，恒温反应原位制得CH3NH3PbI3薄膜材料。
2. 根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述的反应温度在0~40℃范围内选取；反应时间为20分钟~12小时。
3. 根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述的基底材料为ITO导电玻璃、FTO导电玻璃、普通载玻片。
4. 根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述的ITO导电玻璃优选为具有优势生长晶面的导电玻璃，包括222晶面为优势生长晶面的ITO导电玻璃、400晶面为优势生长晶面的ITO导电玻璃。
5. 根据权利要求4所述的化学方法，其特征在于：所述铅单质薄膜厚度范围为200~400nm。
6. 根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所使用的铅单质薄膜成膜方法为直流磁控溅射、蒸镀、电镀。
7. 根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述配制单质碘和碘化甲胺溶液的有机溶剂为无水乙醇。
8. 根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述含有单质碘和碘化甲胺的有机溶液中单质碘的浓度范围为0.0003~0.0007g/ml；碘化甲胺的浓度范围为0.0050~0.0150g/ml。
9. 根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述碘化甲胺的有机溶液中碘化甲胺的浓度范围为0.0050~0.0150g/ml。
10. 根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述碘化形成碘化铅薄膜的反应温度为70℃。
11. 根据权利要求1所述的化学方法，其特征在于：所述的方法包括反应完成后将产物用异丙醇洗涤，然后经40~70℃干燥处理。
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