[发明专利]一种微带间隙设计在基片集成波导环行器上的应用

说明书

技术领域

本发明涉及微波器件技术领域，尤其涉及一种微带间隙设计在基片集成波导环行器上的应用。

背景技术

高频率环行器在军事上的雷达及微波多路通信系统中应有非常广泛。随着现代技术的发展，军用器件对于小型化、轻型化、高功率、集成化、高性能的要求越来越高。传统的环形器技术如带状线环行器和微带环行器已经不能满足这些要求。基片集成波导(SIW)作为一种新兴的传输线，它既具有矩形波导高品质因数、低损耗、以及相对较高的功率容量，又具有微带线体积小、易于集成化的优点，因而SIW传输线可以在微波、毫米波环行器中得到广泛应用。

为了方便SIW与其它电路的集成，通常要采用50欧姆微带线与SIW连接。连接方式各有不同，目前为止，所有的设计，都不能同时达到良好反射系数与宽的带宽的要求。

发明内容

针对上述存在问题或不足，本发明提供了一种微带间隙设计在基片集成波导环行器上的应用。其适用于基片集成波导环行器中心结SIW结构与50欧姆微带线匹配的补充，增强了匹配，展宽了带宽，同时能够达到隔离直流的目的，可以使得器件达到避雷的要求。

本发明所采用的技术方案是：

步骤一、设计一种Ka波段环行器，包括中心结，三个外接50欧姆微带端口，50欧姆微带与SIW过渡段，还包括一个微带间隙，该微带间隙位于T型环行器两对称直端口50欧姆微带线末端处，距离端口边缘距离为0<W1≤0.1mm，微带间隙宽度为0<S≤0.01mm，微带介质层厚度为0.4≤h≤1mm，间隙处微带的导带宽度W为50欧姆微带宽度；

步骤二、依据公式

wh=2π[B-1-Ln(2B-1)+{Ln(B-1)+0.39-0.61ϵr}]]]>

A=Z060ϵr+12+ϵr-1ϵr+1(0.23+0.11ϵr),B=377π2Z0ϵr]]>