[发明专利]一种防闩锁型电源钳位ESD保护电路

权利要求书

1.一种防闩锁型电源钳位ESD保护电路，包括：瞬态触发模块、直流电压探测模块以及泄放晶体管；

其特征在于，所述瞬态触发模块包括：PMOS晶体管M_p2，NMOS晶体管M_n2，NMOS晶体管M_fb1,电阻R1以及电容C；所述PMOS晶体管M_p2的栅极与所述NMOS晶体管M_n2的栅极相连，所述NMOS晶体管M_n2的源极接地，所述NMOS晶体管M_n2的漏极与所述PMOS晶体管M_p2的漏极相连，所述PMOS晶体管M_p2的源极与所述防闩锁型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述NMOS晶体管M_fb1的源极接地，所述NMOS晶体管M_fb1的漏极与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电阻R₁的一端与所述防闩锁型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述电阻R₁的另一端与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电容C的一端与所述PMOS晶体管M_p2的栅极相连，所述电容C的另一端接地；

所述直流电压探测模块包括：PMOS晶体管M_p1，NMOS晶体管M_fb，电阻R，电阻R_g以及二极管D₁、二极管D₂、二极管D₃与二极管D₄；所述PMOS晶体管M_p1的栅极与所述NMOS晶体管M_fb的漏极相连，所述PMOS晶体管M_p1的源极与所述防闩锁型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述PMOS晶体管M_p1的漏极与所述电阻R_g的一端相连，所述PMOS晶体管M_p1的漏极还与所述NMOS晶体管M_fb1的栅极相连，所述电阻R_g的另一端接地，所述电阻R的一端与所述防闩锁型电源钳位ESD保护电路的电源管脚V_DD相连，所述电阻R的另一端与依次正向串联的所述二极管D₁、二极管D₂、二极管D₃与二极管D₄连接，所述二极管D4的阴极接地，所述电阻R的另一端还与所述PMOS晶体管M_p1的栅极相连，所述NMOS晶体管M_fb的栅极与所述NMOS晶体管M_fb1的栅极相连；

所述泄放晶体管为NMOS晶体管M_big，其栅极与所述PMOS晶体管M_p2的漏极相连，其源级接地，其漏极与所述防闩锁型电源钳位ESD保护电路的电源线V_DD相连。

2.根据权利要求1所述的防闩锁型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述瞬态触发模块用于探测电源线上的脉冲是否为ESD脉冲，若为ESD脉冲，则触发泄放晶体管，若不为ESD脉冲，则不触发泄放晶体管。

3.根据权利要求1所述的防闩锁型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述直流电压探测模块用于根据电源线上脉冲的幅值来判定电源线上是否发生过压现象，若发生过压现象，则向所述瞬态触发模块发出有效信号，维持泄放晶体管的开启状态，若不发生过压现象，则不向瞬态触发模块发出维持泄放晶体管开启状态的有效信号。

4.根据权利要求1所述的防闩锁型电源钳位ESD保护电路，其特征在于，所述泄放晶体管，用于在ESD事件的瞬态和直流条件都满足时，完全触发进入开启状态，完成静电电荷的泄放，保证芯片内部电路的安全。