[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸，多个鳍片结构之间具有浅沟槽隔离结构；

栅极堆叠结构，在衬底上沿第二方向延伸，跨越多个鳍片结构；

沟道区，多个鳍片结构中位于栅极堆叠结构下方；

外延生长的应力源漏区，包括位于多个鳍片结构中、在栅极堆叠结构沿第一方向两侧的第一部分，以及在第一部分沿第二方向侧面上的第二部分，

其中浅沟槽隔离结构在应力源漏区侧面的部分的高度低于在沟道区侧面的部分的高度以从第二方向传递更多的应力。

2.如权利要求1的半导体器件，其中，应力源漏区的第二部分的底部低于沟道区的底部。

3.如权利要求1的半导体器件，其中，应力源漏区的材质选自SiGe、Si:C、Si:H、SiSn、GeSn、SiGe:C的任意一种及其组合。

4.如权利要求1的半导体器件，其中，多个鳍片结构中部和/或底部具有穿通阻挡层。

5.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片以及鳍片之间的浅沟槽隔离；

在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；

在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；

以栅极侧墙和假栅极堆叠结构为掩模，刻蚀鳍片形成源漏区沟槽；

选择性刻蚀浅沟槽隔离，减小源漏区沟槽沿第二方向的两侧的浅沟槽隔离的高度；

在源漏区沟槽中、以及鳍片沿第二方向的侧面上外延生长形成应力源漏区，鳍片在应力源漏区之间的部分构成沟道区，其中浅沟槽隔离在应力源漏区侧面的部分的高度低于在沟道区侧面的部分的高度以从第二方向传递更多的应力；

去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；

在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。

6.如权利要求5的半导体器件制造方法，其中，形成假栅极堆叠结构之前进一步包括，执行离子注入，在鳍片中部和/或底部形成穿通阻挡层。

7.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，选择性刻蚀浅沟槽隔离过程中，暴露了鳍片中部的穿通阻挡层的侧面。

8.如权利要求5的半导体器件制造方法，其中，减小浅沟槽隔离的高度为5～50nm。

9.如权利要求5的半导体器件制造方法，其中，鳍片沿第二方向的侧面上的一部分应力源漏区的底部低于沟道区的底部。