[发明专利]阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1，在基板上形成栅极；

步骤2，在所述栅极上沉积形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成源、漏极以及连接所述源、漏极的有源层；

步骤3，在完成步骤2的所述基板上形成钝化层，同时在所述钝化层上相应位置形成过孔；

步骤4，在完成步骤3的所述基板上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；

步骤5，使用掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，在非像素区形成隔垫物、同时在像素区形成第一图案化光刻胶层；

步骤6，沿所述第一图案化光刻胶层对所述导电材料层进行刻蚀，形成像素电极；

步骤7，使用掩膜版对完成步骤6的所述基板进行曝光、显影，去除所述第一图案化光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤11，在所述基板上通过金属溅射工艺形成第一金属材料层，在所述第一金属材料层上涂敷第二光刻胶层；

步骤12，使用掩膜版对所述第二光刻胶层进行曝光、显影，形成第二图案化光刻胶层；

步骤13，沿所述第二图案化光刻胶层对所述第一金属材料层进行刻蚀，形成所述栅极，同时形成栅线；

步骤14，剥离所述第二图案化光刻胶层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤13中的刻蚀工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：

步骤21，在所述栅极和栅线上通过气相沉积形成所述栅极绝缘层；

步骤22，在所述栅极绝缘层上通过气相沉积形成有源材料层，在所述有源材料层上涂敷第三光刻胶层；

步骤23，使用掩膜版对所述第三光刻胶层进行曝光、显影，形成第三图案化光刻胶层，沿所述第三图案化光刻胶层对所述有源材料层进行刻蚀，形成有源层；

步骤24，剥离所述第三图案化光刻胶层；

步骤25，在所述有源层上通过金属溅射工艺形成第二金属材料层，在所述第二金属材料层上涂敷第四光刻胶层；

步骤26，使用掩膜版对所述第四光刻胶层进行曝光、显影，形成第四图案化光刻胶层；沿所述第四图案化光刻胶层对所述第二金属材料层进行刻蚀，形成所述源、漏极，以及与所述源极连接的数据线；

步骤27，剥离所述第四图案化光刻胶层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：

步骤31，在完成步骤27的所述基板上通过气相沉积形成钝化材料层，在所述钝化材料层上涂敷第五光刻胶层；

步骤32，使用掩膜版对所述第五光刻胶层进行曝光、显影，形成第五图案化光刻胶层；

步骤33，沿所述第五图案化光刻胶层对所述钝化材料层进行刻蚀，形成钝化层，同时在所述钝化层上相应位置形成所述过孔；

步骤34，剥离所述第五图案化光刻胶层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述钝化层为氮化硅材质。

7.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤4具体可以为：

步骤4，在完成所述步骤34的所述基板上通过气相沉积形成导电材料层，在所述导电材料层上涂敷所述第一光刻胶层。

8.根据权利要求1或7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述导电材料层为氧化铟锡膜。

9.一种阵列基板，其特征在于，使用权利要求1-8任一所述的阵列基板的制造方法制造而成。