[发明专利]阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)具有高响应度、高亮度和高对比度等优点，备受人们的青睐，已成为显示装置中的主流产品。

其中，TFT-LCD显示器主要包括液晶盒，该液晶盒的下玻璃基板(阵列基板)上设置TFT，上玻璃基板(彩膜基板)上设置彩色滤光片，通过电场对液晶的作用以及TFT上信号的改变来控制液晶分子的转动方向，从而达到显示的目的。现有技术中，彩膜基板上设有支撑液晶盒的隔垫物，该隔垫物通过在彩膜基板上涂敷光刻胶，并对光刻胶进行曝光、显影等工艺，从而形成隔垫物，以隔离出注入液晶的空间。

然而，在阵列基板和彩膜基板对盒形成液晶盒的过程中，由于隔垫物需要与阵列基板表面相贴合，则存在摩擦，易产生静电，从而对液晶的控制造成干扰，影响显示效果，例如产生蓝点不良等。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制造方法及应用其制造的阵列基板，解决了隔垫物与阵列基板贴合时易产生静电，从而对液晶的控制造成干扰，影响显示效果的问题。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种阵列基板的制造方法，包括：步骤1，在基板上形成栅极；步骤2，在所述栅极上沉积形成栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上形成源、漏极以及连接所述源、漏极的有源层；步骤3，在完成步骤2的所述基板上形成钝化层，同时在所述钝化层上相应位置形成过孔；步骤4，在完成步骤3的所述基板上依次形成导电材料层和第一光刻胶层；步骤5，使用掩膜版对所述第一光刻胶层进行曝光、显影，在非像素区形成隔垫物、同时在像素区形成第一图案化光刻胶层；步骤6，沿所述第一图案化光刻胶层对所述导电材料层进行刻蚀，形成像素电极；步骤7，使用掩膜版对完成步骤6的所述基板进行曝光、显影，去除所述第一图案化光刻胶层。

具体地，所述步骤1具体包括：步骤11，在所述基板上通过金属溅射工艺形成第一金属材料层，在所述第一金属材料层上涂敷第二光刻胶层；步骤12，使用掩膜版对所述第二光刻胶层进行曝光、显影，形成第二图案化光刻胶层；步骤13，沿所述第二图案化光刻胶层对所述第一金属材料层进行刻蚀，形成所述栅极，同时形成栅线；步骤14，剥离所述第二图案化光刻胶层。

其中，所述步骤13中的刻蚀工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀。

具体地，所述步骤2具体包括：步骤21，在所述栅极和栅线上通过气相沉积形成所述栅极绝缘层；步骤22，在所述栅极绝缘层上通过气相沉积形成有源材料层，在所述有源材料层上涂敷第三光刻胶层；步骤23，使用掩膜版对所述第三光刻胶层进行曝光、显影，形成第三图案化光刻胶层，沿所述第三图案化光刻胶层对所述有源材料层进行刻蚀，形成有源层；步骤24，剥离所述第三图案化光刻胶层；步骤25，在所述有源层上通过金属溅射工艺形成第二金属材料层，在所述第二金属材料层上涂敷第四光刻胶层；步骤26，使用掩膜版对所述第四光刻胶层进行曝光、显影，形成第四图案化光刻胶层；沿所述第四图案化光刻胶层对所述第二金属材料层进行刻蚀，形成所述源、漏极，以及与所述源极连接的数据线；步骤27，剥离所述第四图案化光刻胶层。

进一步地，所述步骤3具体包括：步骤31，在完成步骤27的所述基板上通过气相沉积形成钝化材料层，在所述钝化材料层上涂敷第五光刻胶层；步骤32，使用掩膜版对所述第五光刻胶层进行曝光、显影，形成第五图案化光刻胶层；步骤33，沿所述第五图案化光刻胶层对所述钝化材料层进行刻蚀，形成钝化层，同时在所述钝化层上相应位置形成所述过孔；步骤34，剥离所述第五图案化光刻胶层。

优选地，所述钝化层为氮化硅材质。

其中，所述步骤4具体可以为：步骤4，在完成所述步骤204的所述基板上通过气相沉积形成导电材料层，在所述导电材料层上涂敷所述第一光刻胶层。

具体地，所述导电材料层为氧化铟锡膜。

一种阵列基板，使用上述所述的阵列基板的制造方法制造而成。