[发明专利]硅氧化膜的制造方法

权利要求书

1.一种硅氧化膜的制造方法，该硅氧化膜的制造方法在成膜装置中进行，该成膜装置包括：

旋转台，其以能够旋转的方式容纳于真空容器内，并在上表面具有供基板载置的基板载置部；

第1气体供给部，其配置于在上述旋转台的上述上表面的上方划分出的第1处理区域，并用于朝向上述旋转台的上述上表面供给第1气体；以及

第2气体供给部，其配置于沿上述旋转台的周向与上述第1处理区域分开的第2处理区域，并用于朝向上述旋转台的上述上表面供给第2气体，

在该硅氧化膜的制造方法中，

自上述第1气体供给部连续地供给作为上述第1气体的含硅气体，

自上述第2气体供给部连续地供给作为上述第2气体的氢气和氧化气体，

一边使上述旋转台旋转，一边在上述第1处理区域中使上述第1气体吸附于载置在上述旋转台上的基板，

一边使上述旋转台旋转，一边在上述第2处理区域中使吸附于上述基板的表面的上述第1气体和供给到上述第2处理区域的上述第2气体反应。

2.根据权利要求1所述的硅氧化膜的制造方法，其中，

上述第2气体供给部包括两只第2气体喷嘴，

自上述第2气体喷嘴中的一个第2气体喷嘴供给上述氢气，

自上述第2气体喷嘴中的另一个第2气体喷嘴供给上述氧化气体。

3.根据权利要求1所述的硅氧化膜的制造方法，其中，

上述第2气体供给部包括第2气体喷嘴，

自上述第2气体喷嘴供给预先混合的上述氢气以及上述氧化气体。

4.根据权利要求1所述的硅氧化膜的制造方法，其中，

在使上述旋转台旋转时，上述旋转台的旋转速度为5rpm～240rpm。

5.根据权利要求1所述的硅氧化膜的制造方法，其中，

将上述基板加热到400℃～900℃。

6.根据权利要求1所述的硅氧化膜的制造方法，其中，

上述第2气体所包含的氢的流量为0.5L/min以上。

7.根据权利要求1所述的硅氧化膜的制造方法，其中，

上述旋转台具有沿周向配置的多个基板载置部，

对载置于上述多个基板载置部的多个基板依次进行将上述第1气体吸附于上述基板的步骤以及使上述第2气体与吸附于上述基板的上述第1气体进行反应的步骤。