[发明专利]硅氧化膜的制造方法

说明书

技术领域

本申请基于2013年9月13日向日本专利局提出申请的日本专利申请2013－191060号要求优先权，在此引用日本专利申请2013－191060号的全部内容。本发明涉及硅氧化膜的制造方法。

背景技术

作为半导体集成电路(IC，Integrated circuit)等半导体装置的绝缘膜，广泛使用了硅氧化膜，以往以来研究有在晶圆(基板)表面形成硅氧化膜的方法。

例如日本特开2007－42884号公报中公开了如下硅氧化膜的成膜方法：使用立式的圆筒状的反应容器，向该反应容器内输入已保持有多张半导体晶圆的晶圆舟皿，使反应容器内成为真空，并在加热后同时供给TEOS气体、氧气、氢气。

然而，根据日本特开2007－42884号公报所公开的硅氧化膜的成膜方法，在自反应容器下部供给的TEOS等反应气体移动至设于反应容器上部的排气口的期间内，反应气体通过保持于晶圆舟皿的晶圆之间并供给至晶圆表面。即，供给至晶圆表面的反应气体平行于晶圆表面地流动，并自晶圆的端部侧进入、通过中央部而自其他端部侧流出。因此，虽然在成膜时使晶圆舟皿旋转，但有时容易在晶圆的端部形成硅氧化膜，使在晶圆的端部与中央部形成的硅氧化膜的膜厚变得不均匀。

特别是，近年来，也有时工艺规则(半导体电路的布线的宽度)微细化，要求在晶圆上形成膜厚均匀的绝缘膜。而且，针对在表面形成有开口部的尺寸较小且深度较深的凹部的晶圆成膜硅氧化膜的情况也增加，在以往的方法中，有时难以在晶圆表面形成膜厚均匀的膜。因此，谋求无论晶圆表面的形状如何都能够形成膜厚均匀的绝缘膜的方法。

发明内容

本发明鉴于上述现有技术所具有的问题，目的在于提供一种能够在基板表面形成膜厚均匀的硅氧化膜的硅氧化膜的制造方法。

为了解决上述课题，本发明为一种硅氧化膜的制造方法，该硅氧化膜的制造方法在成膜装置中进行，该成膜装置包括：

旋转台，其以能够旋转的方式容纳于真空容器内，并在上表面具有供多个基板载置的基板载置部；

第1气体供给部，其配置于在上述旋转台的上述上表面的上方划分出的第1处理区域，并用于朝向上述旋转台的上述上表面供给第1气体；以及

第2气体供给部，其配置于沿上述旋转台的周向与上述第1处理区域分开的第2处理区域，并用于朝向上述旋转台的上述上表面供给第2气体。

在该制造方法中，自上述第1气体供给部连续地供给作为上述第1气体的含硅气体，

自上述第2气体供给部连续地供给作为上述第2气体的氢气和氧化气体，

并且，一边使上述旋转台旋转，一边在上述第1处理区域中使上述第1气体吸附于载置在上述旋转台上的基板，

一边使上述旋转台旋转，一边在上述第2处理区域中使吸附于上述基板的表面的上述第1气体和供给到上述第2处理区域的上述第2气体反应。

附图说明

图1是表示用于实施本发明的实施方式的硅氧化膜的制造方法的、优选的成膜装置的剖视图。

图2是表示图1的成膜装置的真空容器内的构造的立体图。

图3是表示图1的成膜装置的真空容器内的构造的概略俯视图。

图4A以及图4B是图1的成膜装置的气体喷嘴以及喷嘴盖的构成图。

图5是图1的成膜装置的局部剖视图。

图6是图1的成膜装置的其他的局部剖视图。

图7是表示本发明的实施例、比较例中所成膜的硅氧化膜的膜收缩率的图表。

具体实施方式

以下，参照添附的附图对本发明的非限定的例示的实施方式进行说明。在添附的全部附图中，对相同或者对应的构件或者部件标注相同或者对应的参照附图标记并省略重复的说明。另外，附图并非以示出构件或部件之间的相互对比为目的，因此，具体的尺寸应该由本领域技术人员参照以下非限定的实施方式来确定。

(成膜装置)

首先，使用附图说明用于实施本发明的本实施方式的硅氧化膜的制造方法的优选的成膜装置。

图1是表示用于实施本实施方式的硅氧化膜的制造方法的、优选的成膜装置的一个例子的剖视图，图2是表示用于实施本实施方式的硅氧化膜的制造方法的、优选的成膜装置的一个例子的立体图。另外，图3是表示用于实施本实施方式的硅氧化膜的制造方法的、优选的成膜装置的一个例子的概略俯视图。