[发明专利]存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器阵列，其特征在于：该存储器阵列包括多个基本单元阵、字线组及位线组，每个基本单元阵包括2×2个存储单元对，字线组包括字线WL<m>、第一控制栅线CG0<m>、第二控制栅线CG1<m>，位线组包括位线BL<3k>、BL<3k+1>和BL<3k+2>，该多个基本单元阵在列行方向依次由该位线组和字线组级联，其形成的各列纵向单元阵和其他列单元阵没有关联；对每一个基本单元阵的各存储单元对，该第一控制栅线CG0<m>连接其第一控制栅极，该第二控制栅线CG1<m>连接其第二控制栅极，该字线WL<m>连接字线控制栅极，第一控制栅极和第二控制栅极的读电压以及编程电压不同。

2.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于：定义各存储单元对的源漏极的上端为漏极，定义各存储单元对的源漏极之下端为源极，对该存储器阵列的奇数行奇数列存储单元对，位线BL<n>连接其漏极，位线BL<n+1>连接其源极，对奇数行偶数列存储单元对，位线BL<n+2>连接其漏极，位线BL<n+1>连接其源极，对偶数行奇数列存储单元对，位线BL<n>连接其源极，位线BL<n+1>连接其漏极，对偶数行偶数列存储单元对，位线BL<n+2>连接其源极，位线BL<n+1>连接其漏极。

3.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于：在该存储器阵列的行方向上，每一行的存储单元对的第一控制栅极、第二控制栅极、字线控制栅极分别连接在一起。

4.如权利要求3所述的存储器阵列，其特征在于：在该存储器阵列的列方向上，奇数列和偶数列分组排列，依次每两列一组，第m行第k组的奇数列存储单元对的漏极均连接至位线BL<3k>，第m行第k组的偶数列存储单元对的漏极连接至位线BL<3k+2>，第m行第k组的存储单元对的源极连接至位线BL<3k+1>，第m+1行第k组的奇数列存储单元对的源极均连接至位线BL<3k>，第m+1行第k组的偶数列存储单元对的源极连接至位线BL<3k+2>，第m+1行第k组的存储单元对的漏极连接至位线BL<3k+1>，如此重复，每一组和其他组在列上没有关联，其中，m为奇数。

5.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于：列方向的位线为第二层金属层走线，行方向的字线、第一控制栅线、第二控制栅线为第一层金属层走线。