[发明专利]制造沟槽型功率器件的方法在审
| 申请号： | 201410465854.7 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN105470139A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 沈思杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/027;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 沟槽 功率 器件 方法 | ||
1.一种制造沟槽型功率器件的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在衬底上形成掩模层，并且通过第一次光刻及刻蚀在衬底的终 端区域形成掩模层图案，而且利用形成图案的掩模层执行离子注入从而形成保 护环；
第二步骤：在掩模层上沉积掩模材料层，从而至少部分地填充掩模层的图 案，然后通过第二次光刻及刻蚀在衬底的器件区域形成凹槽，以暴露出凹槽所 对应的衬底表面；
第三步骤：沉积侧墙材料，从而在凹槽的侧壁形成侧墙；
第四步骤：利用形成有侧墙的掩模层结构在衬底中刻蚀出沟槽，并且在沟 槽中填充多晶硅材料；
第五步骤：去除凹槽的侧壁上的侧墙，随后利用去除了侧墙的掩模层结构 执行离子注入，以便在多晶硅结构两侧形成注入区；
第六步骤：通过第三次光刻形成注入掩模图案，此后利用注入掩模图案对 衬底进行注入以形成阱区；
第七步骤：利用掩模材料填充凹槽，并进行平坦化处理，并且通过第四次 光刻及刻蚀在掩模层和掩模材料层中形成接触区凹槽。
2.根据权利要求1所述的制造沟槽型功率器件的方法，其特征在于，所述 衬底是硅衬底。
3.根据权利要求1或2所述的制造沟槽型功率器件的方法，其特征在于， 在第三步骤中，掩模层图案所对应的凹进区域可能也填充有侧墙材料。
4.根据权利要求1或2所述的制造沟槽型功率器件的方法，其特征在于， 在第五步骤中通过刻蚀去除侧墙材料。
5.根据权利要求3所述的制造沟槽型功率器件的方法，其特征在于，在第 五步骤中，掩模层图案所对应的凹进区域中的侧墙材料也被去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
