[发明专利]柔性有机电致发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种柔性有机电致发光器件，所述柔性有机电致发光器件包括：

柔性基板；

整个形成在所述柔性基板上的缓冲层；

形成在所述缓冲层上并且构造为包括有源层的薄膜晶体管；

形成为覆盖所述薄膜晶体管的平坦化膜；

形成在所述平坦化膜上并且构造为包括第一电极、有机发光层和第二电极的有机发光二极管；以及

形成在所述薄膜晶体管的所述有源层之上但是在所述平坦化膜之下的至少一个氮化硅层，

其中，所述至少一个氮化硅层被图案化成与被包括在所述柔性有机电致发光器件中的多个子像素一一对应的多个岛状图案。

2.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中，在所述多个岛状图案之间的距离在2μm到30μm的范围内。

3.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中，所述岛状图案的形状依赖于子像素的形状。

4.根据权利要求3所述的柔性有机电致发光器件，其中，在所述多个岛状图案之间的距离在2μm到30μm的范围内。

5.根据权利要求4所述的柔性有机电致发光器件，其中，所述薄膜晶体管包括：

栅绝缘膜，其被形成以覆盖所述有源层；

栅极，其被形成在所述栅绝缘膜上；

氧化硅SiO_x的第一层间绝缘膜，其被形成以覆盖所述栅极；以及

在所述第一层间绝缘膜上形成的源极和漏极，所述至少一个氮化硅层包括形成在所述第一层间绝缘膜与所述源极和所述漏极之间的第二层间绝缘膜。

6.根据权利要求5所述的柔性有机电致发光器件，其中，所述至少一个氮化硅层进一步包括形成在所述源极和所述漏极与所述平坦化膜之间的钝化膜。

7.根据权利要求6所述的柔性有机电致发光器件，所述柔性有机电致发光器件进一步包括形成在具有所述有机发光二极管的所述柔性基板的整个表面上的密封层。

8.根据权利要求7所述的柔性有机电致发光器件，所述柔性有机电致发光器件进一步包括形成在所述密封层上的前面膜。

9.根据权利要求8所述的柔性有机电致发光器件，其中，所述前面膜由选自包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺PI、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA、聚碳酸酯PC和聚苯乙烯的材料组中的一个材料形成。

10.根据权利要求1所述的柔性有机电致发光器件，其中，所述薄膜晶体管包括：

栅绝缘膜，其被形成以覆盖所述有源层；

栅极，其被形成在所述栅绝缘膜上；

氧化硅SiO_x的第一层间绝缘膜，其被形成以覆盖所述栅极并且具有双层结构；以及

形成在所述第一层间绝缘膜上的源极和漏极，所述至少一个氮化硅层包括形成在所述源极和所述漏极与所述平坦化膜之间的钝化膜。

11.一种制造柔性有机电致发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：

制备柔性基板；

在所述柔性基板的整个表面上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成构造为包括有源层的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括由多晶硅形成的有源层；

在具有所述薄膜晶体管的所述柔性基板的整个表面上形成平坦化膜；以及

在所述平坦化膜上形成有机发光二极管，所述有机发光二极管包括第一电极、有机发光层和第二电极，

其中，所述薄膜晶体管的形成包括在所述薄膜晶体管的所述有源层之上形成至少一个氮化硅层，所述至少一个氮化硅层被图案化成与被包括在所述柔性有机电致发光器件中的多个子像素一一对应的多个岛状图案。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述多个岛状图案之间的距离在2μm到30μm的范围内。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述岛状图案的形状依赖于子像素的形状。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述多个岛状图案之间的距离在2μm到30μm的范围内。