[发明专利]柔性有机电致发光器件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种柔性有机电致发光器件，尤其涉及一种提高捆扎(banding)性能的柔性有机电致发光器件及其制造方法。

背景技术

有机电致发光器件通过激活发光层中的激子使其从激发态跃迁到基态而发光。激子通过从电子注入电极和空穴注入电极注入到发光层的电子和空穴的复合而形成。

以上文提及的原理驱动的这种有机电致发光器件具有自发光性能。并且，因为不像液晶显示器件，不需要另外的光源，有机电致发光器件可减小厚度和重量。而且，有机电致发光器件具有诸如低功耗、高亮度、快速响应时间等优质属性。因而，有机电致发光器件被认为是移动电器的下一代显示器件。而且，有机电致发光器件可以通过简单的制造工序制造。据此，与液晶显示器件相比，有机电致发光器件可在很大程度上减少制造成本。

同时，显示器件要求具有柔性。因而，柔性显示器件被积极地研究。

图1是示出普通柔性有机电致发光器件的横截面图。详细地，图1是主要地示出有机发光二极管E和驱动薄膜晶体管TD的放大的横截面图。

参照图1，普通柔性有机电致发光器件包括形成在第一基板100上的开关薄膜晶体管(未示出)和驱动薄膜晶体管TD、覆盖该驱动薄膜晶体管TD的平坦化膜121以及有机发光二极管E。

该开关薄膜晶体管和该驱动薄膜晶体管TD可以以边缘栓塞结构和共面结构中的一个来形成。在下文中，共面结构的驱动薄膜晶体管TD将被解释。

具有共面结构的驱动晶体管TD包括：形成在基板100的整个表面上的缓冲层101；形成在缓冲层101上的有源层110；顺序地形成在有源层110上的栅绝缘膜114和栅极115；以及顺序地形成在栅极115上的层间绝缘膜116以及源极和漏极119a和119b。

有源层110被限定成形成在其两个末端中的沟道区112和源极/漏极区113和111。源极和漏极119a和119b连接到有源层110的源极和漏极区113和111。

有机发光二极管E包括：相对于像素形成在平坦化膜121上的第一电极131；形成在由覆盖第一电极131的边缘的有机堤形膜132限定的第一电极区中的有机发光层133；以及形成在有机发光层133上的第二电极134。

密封层140和前面膜150顺序地形成在有机发光二极管E的第二电极134上。

有源层110可成为低温多晶硅(LTPS)工艺形成的多晶硅膜。在这种情况下，必须对有源层110执行氢化工艺。这样的氢化工艺使得氮化硅(SiN_x)层形成在驱动晶体管TD的上部或下部。然而，氮化硅(SiN_x)层容易断裂。归因于此，在执行捆扎工艺时氮化硅(SiN_x)层可导致断裂。

发明内容

此外，本申请的实施例关注于基本上消除归因于相关技术的限制和缺点的一个或多个的问题的柔性有机电致发光器件及其制造方法。

本发明的一个目的是提供适合于通过将氮化硅(SiN_x)层图案化为像素而改进捆扎性能的柔性有机电致发光器件及其制造方法，在执行捆扎工艺时氮化硅(SiN_x)层容易断裂。

实施例的附加特征和优点将在随后的说明书中详细解释，并且部分地从说明书中显而易见，或可通过实施例的实践而了解。实施例的目的和其它优点将通过在本申请中指出的结构而理解和实现。

为了获得这些和其它优点并且根据本发明的目的，正如具体地和广泛地记载的，柔性有机电致发光器件包括：柔性基板；整个形成在所述柔性基板上的缓冲层；形成在所述缓冲层上并且构造为包括有源层的薄膜晶体管；形成为覆盖所述薄膜晶体管的平坦化膜；形成在所述平坦化膜上并且构造为包括第一电极、有机发光层和第二电极的有机发光二极管；以及形成在所述薄膜晶体管的所述有源层之上但是在所述平坦化膜之下并图案化成多个岛状图案的至少一个氮化硅层。

根据本实施例的另一个普通方案的柔性有机电致发光器件的制造方法包括：制备柔性基板；在所述柔性基板的整个表面上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成构造为包括有源层的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括由多晶硅形成的有源层；在具有所述薄膜晶体管的所述柔性基板的整个表面上形成平坦化膜；以及在所述平坦化膜上形成有机发光二极管，所述有机发光二极管包括第一电极、有机发光层和第二电。所述薄膜晶体管的形成包括在所述薄膜晶体管的所述有源层之上形成至少一个氮化硅层，所述至少一个氮化硅层被图案化成多个岛状图案。

应当理解，前述总体说明和随后的详细说明二者是示例性的和解释性的，并且意在提供对本发明的进一步解释。