[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

向衬底供给原料气体的工序；

向等离子体生成区域供给反应气体的工序；

向所述等离子体生成区域供给高频电力的工序；以及

使供给所述反应气体之前的所述等离子体生成区域内的压力为第一压力，开始向所述等离子体生成区域供给高频电力后，向所述等离子体生成区域供给所述反应气体，将所述等离子体生成区域内从所述第一压力调压至比所述第一压力低的第二压力来生成所述反应气体的等离子体的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在供给所述反应气体之前，具有供给比所述反应气体的流量多的吹扫气体的工序。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在生成所述等离子体的工序后，具有使所述反应气体从等离子体状态返回气体状态的工序。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

交替地进行生成所述等离子体的工序和所述返回气体状态的工序。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第一压力是使所述反应气体保持等离子体OFF状态的压力。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第二压力是使所述反应气体等离子体化的压力。

7.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：

处理室，该处理室收纳衬底；

原料气体供给部，该原料气体供给部向所述衬底供给原料气体；

反应气体供给部，该反应气体供给部向所述衬底供给反应气体；

等离子体生成区域，该等离子体生成区域被供给所述反应气体，并使所述反应气体等离子体化；

激发部，该激发部在所述反应气体供给部将所述反应气体供给到所述等离子体生成区域之前，向所述等离子体生成区域供给高频电力；以及

控制部，该控制部具有以如下方式控制所述反应气体供给部和所述激发部的结构：使供给所述反应气体之前的所述等离子体生成区域的压力为第一压力，进行向所述衬底供给原料气体的处理，以及在开始向所述等离子体生成区域供给高频电力后，向所述等离子体生成区域供给所述反应气体，将所述等离子体生成区域内从所述第一压力调压至比所述第一压力低的第二压力从而生成所述反应气体的等离子体的处理。

8.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其特征在于，

具有对所述处理室进行排气的排气部，

所述控制部具有以如下方式控制所述反应气体供给部和所述排气部的结构：在开始向所述等离子体生成区域供给高频电力后，向所述等离子体生成区域供给所述反应气体，将所述等离子体生成区域内从所述第一压力调压至所述第二压力。

9.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其特征在于，

还包含向所述处理室供给吹扫气体的吹扫气体供给部，所述控制部具有以如下方式控制所述反应气体供给部和所述吹扫气体供给部的结构：在供给所述反应气体之前，进行供给比所述反应气体的流量多的吹扫气体的工序。

10.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述激发部和所述反应气体供给部的结构：在生成所述等离子体的工序后，在维持所述高频电力的供给的状态下进行使所述反应气体从等离子体状态返回气体状态的工序。

11.根据权利要求10所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述激发部和所述反应气体供给部的结构：交替地进行生成所述等离子体的工序和所述返回气体状态的工序。

12.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述反应气体供给部和所述排气部中的任一方或双方的结构：使所述第一压力成为使所述反应气体保持等离子体OFF状态的压力。

13.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述控制部具有以如下方式控制所述反应气体供给部和所述排气部中的任一方或双方的结构：使所述第二压力成为使所述反应气体等离子体化的压力。