[发明专利]氧化硅膜的制造方法

权利要求书

1.一种氧化硅膜的制造方法，其中，

将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，

在设置所述基板的步骤之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气，

利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，

利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体，

在开始供给所述氢气的步骤之后，实施开始供给所述氧化气体的步骤和开始供给所述含硅气体的步骤，

在将所述氢气和所述氧化气体作为整体的每个单位时间的供给量设为1的情况下，以所述氢气的供给量的比率为0.1～0.6的方式供给所述氢气。

2.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中，

所述氢气供给部件在开始供给所述氢气的步骤之后连续地向所述反应容器内供给氢，

所述氧化气体供给部件在开始供给所述氧化气体的步骤之后连续地向所述反应容器内供给氧，

所述含硅气体供给部件在开始供给所述含硅气体的步骤之后连续地向所述反应容器内供给含硅气体。

3.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中，

在开始供给所述氢气的步骤之后经过3秒以上实施开始供给所述氧化气体的步骤。

4.根据权利要求2所述的氧化硅膜的制造方法，其中，

旋转台以能够旋转的方式收纳在反应容器内，该旋转台在上表面具有用于载置基板的基板载置部，

所述反应容器在所述旋转台的周向上具有第1处理区域和第2处理区域，该第1处理区域被划分于所述旋转台的所述上表面的上方，该第2处理区域沿着所述旋转台的周向与所述第1处理区域分开，并被划分于所述旋转台的所述上表面的上方，

所述含硅气体供给部件为了在所述第1处理区域内向所述旋转台的上表面供给所述含硅气体而配置在所述第1处理区域内，

所述氢气供给部件和所述氧化气体供给部件为了在所述第2处理区域内向所述旋转台的上表面供给所述氢气和所述氧化气体而配置在所述第2处理区域内，

执行设置所述基板的步骤、开始供给所述氢气的步骤、开始供给所述氧化气体的步骤以及开始供给所述含硅气体的步骤而进行成膜的准备，

一边使所述旋转台旋转，一边在所述第1处理区域内使所述含硅气体吸附于载置在所述旋转台上的基板的表面，

一边使所述旋转台旋转，一边在所述第2处理区域内使吸附于所述基板的表面的所述含硅气体与供给到所述第2处理区域的所述氢气以及所述氧化气体发生反应。

5.根据权利要求4所述的氧化硅膜的制造方法，其中，

在使所述旋转台旋转时，所述旋转台的转速为5rpm～240rpm。

6.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中，

将所述基板加热到400℃～900℃。

7.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中，

所述氢气供给部件在开始供给所述氢气的步骤之后以0.5L/min以上的供给速度向所述反应容器内供给氢气。

8.根据权利要求1所述的氧化硅膜的制造方法，其中，

旋转台以能够旋转的方式收纳在反应容器内，该旋转台在上表面具有用于载置基板的基板载置部，

所述旋转台具有沿着周向配置的多个基板载置部，

针对载置于所述多个基板载置部的多个基板依次进行将所述含硅气体吸附于所述基板的步骤和使所述氢气以及所述氧化气体与吸附于所述基板的所述含硅气体发生反应的步骤。