[发明专利]氧化硅膜的制造方法

说明书

本发明提供一种氧化硅膜的制造方法。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气。在供给氢气之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。

技术领域

本发明涉及一种氧化硅膜的制造方法。

背景技术

作为半导体集成电路(IC、Integrated circuit)等半导体装置的绝缘膜，广泛使用氧化硅膜，一直以来就在研究在晶圆表面上形成氧化硅膜的方法。

例如在日本特开2007－42884号公报中公开了一种氧化硅膜的成膜方法：使用立式的圆筒状的反应容器，向该反应容器内输入已保持有多张半导体晶圆的晶圆舟皿，将反应容器内设为真空，在加热之后，同时供给TEOS气体、氧气、氢气。

但是，当利用日本特开2007－42884号公报所公开的氧化硅膜的成膜方法于在表面具有金属膜的基板(晶圆)上形成氧化硅膜时，存在以下问题：金属膜表面被氧化，由金属膜的氧化引起的体积膨胀使得金属膜的形状发生变化，电阻劣化。

发明内容

本发明鉴于上述现有技术所存在的问题，目的在于提供一种能够抑制形成于基板表面的金属膜的氧化的氧化硅膜的制造方法。

为了解决上述问题，本发明提供一实施方式的氧化硅膜的制造方法。在该方法中，将在表面具有金属膜的基板设置在反应容器内，在设置了所述基板之后，利用氢气供给部件开始向所述反应容器内供给氢气，在将氢气供给到所述反应器内之后，利用氧化气体供给部件开始向所述反应容器内供给氧化气体，并且利用含硅气体供给部件开始向所述反应容器内供给含硅气体。

附图说明

图1是表示适合于实施本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的剖视图。

图2是表示图1的成膜装置的反应容器内的结构的立体图。

图3是表示图1的成膜装置的反应容器内的结构的概略俯视图。

图4A和图4B是图1的成膜装置的气体喷嘴和喷嘴罩的结构图。

图5是图1的成膜装置的局部剖视图。

图6是图1的成膜装置的其他局部剖视图。

图7是本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法的处理流程图。

图8是说明本发明的实施方式的氧化硅膜的制造方法的时序图。

图9是表示在本发明的实施例、比较例中在具有钨膜的基板上形成了氧化硅膜时产生了的氧化钨层的厚度的图表。

具体实施方式

以下，一边参照添加的附图，一边说明本发明的非限定性的例示的实施方式。在添加的所有附图中，对相同或对应的构件或零件标注相同或对应的附图标记，并省略重复说明。另外，附图并不是以表示构件或零件之间的相对比例为目的，因而，应该对照以下非限定性的实施方式由本领域技术人员来确定具体的尺寸。

(成膜装置)

首先，使用附图说明适合于实施本发明的本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置。

图1是适合于实施本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的一例的剖视图，图2是适合于实施本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的一例的立体图。另外，图3是适合于实施本实施方式的氧化硅膜的制造方法的成膜装置的一例的概略俯视图。