[发明专利]一种半导体器件失效分析的方法

权利要求书

1.一种半导体器件失效分析的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一具有缺陷的失效样品；

确定所述缺陷在所述失效样品上所处的物理位置；

对所述失效样品进行正面减薄工艺，以将位于所述物理位置及临近该物理位置的连接通孔均予以暴露；

对暴露的所述连接通孔进行电压对比分析，以获取暴露的连接通孔的表征图像；

通过判断连续排列的若干所述连接通孔的图像的明暗程度

来确认其是否存在异常；

若连续排列的若干所述连接通孔的图像中，位于所述物理位置处的连接通孔的图像明暗程度与位于临近所述物理位置处的连接通孔的图像明暗程度存在差异，则确认位于所述物理位置处的连接通孔的图像存在异常；

根据所述表征图像判断是否是由于冗余电路替换造成的所述缺陷；

若是由于冗余电路替换造成的所述缺陷，则对所述失效样品的冗余算法进行改进。

2.权利要求1所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过采用电性失效分析的方法和/或动态热点失效分析的方法来确定所述缺陷在所述失效样品上所处的物理位置。

3.权利要求2所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：

对所述失效样品进行所述采用电性失效分析的方法获取所述缺陷在所述失效样品上所处的物理位置；

若不能确定所述缺陷在所述失效样品上所处的物理位置，则继续采用所述动态热点失效分析的方法来确定所述缺陷在所述失效样品上所处的物理位置。

4.权利要求1所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：

所述失效样品为实际使用后的失效器件或采用可靠性测试的方式获取的失效样品。

5.权利要求1所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：

当所述连续排列的若干连接通孔的图像中存在亮度不同的连接通孔图形时，且位于非物理位置处的连接通孔的图形的亮度强于位于所述物理位置处的连接通孔的图形时，则位于所述物理位置处的连接通孔处存在物理缺陷。

6.如权利要求1所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：

在小于1kv的条件下，采用扫描电镜或聚焦电子束电镜对所述失效样品进行所述电压对比分析。

7.如权利要求1所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：

依次采用研磨工艺和化学刻蚀工艺对所述失效样品进行所述正面减薄工艺，以去除位于所述失效样品中的部分金属互联层，并停止在所述连接通孔上。

8.如权利要求1所述的半导体器件失效分析方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取所述表征图像后再次对晶圆进行减薄，以获取物理缺陷的真实图像。