[发明专利]电流传感器设备

权利要求书

1.一种用于感测测量电流的电流传感器设备，包括：

半导体芯片，包括磁场敏感元件；

包封物，在其中嵌入所述半导体芯片；

导体，被配置用于承载所述测量电流，所述导体与所述磁场敏感元件电绝缘；以及

重分布结构，包括第一金属层、第二金属层以及在所述第一金属层和所述第二金属层之间延伸的聚合物层，所述第一金属层、所述聚合物层以及所述第二金属层各自在水平方向上延伸，所述第一金属层包括形成所述导体的一部分的第一构造部分，所述第二金属层包括通过所述聚合物层中的开口在垂直方向上被连接至所述第一金属层的所述第一构造部分并且形成所述导体的一部分的第一构造部分，

其中所述第一金属层的所述第一构造部分和所述第二金属层的所述第一构造部分被定位在所述磁场敏感元件之下并且至少部分地与所述磁场敏感元件重叠。

2.根据权利要求1所述的电流传感器设备，其中所述第一金属层还包括：

形成电互连的第二构造部分，所述电互连被配置用于将所述半导体芯片的输入/输出电极或电源电极电耦合至所述电流传感器设备的外部端子。

3.根据权利要求1所述的电流传感器设备，其中所述重分布结构还包括：

有机绝缘层，在所述半导体芯片与所述重分布结构的所述第一金属层之间延伸。

4.根据权利要求1所述的电流传感器设备，其中：

所述半导体芯片具有第一主表面和第二主表面；

所述包封物具有第一主表面和第二主表面；

所述半导体芯片的所述第一主表面和所述包封物的所述第一主表面面向所述重分布结构；以及

所述半导体芯片的所述第一主表面和所述包封物的所述第一主表面形成公共平面表面。

5.根据权利要求1所述的电流传感器设备，其中所述第一金属层的所述第一构造部分的厚度等于在所述第一金属层的所述第一构造部分外的所述第一金属层的厚度。

6.根据权利要求1所述的电流传感器设备，其中所述第一金属层的所述第一构造部分是所述第一金属层的增强部分，所述增强部分的厚度大于在所述第一金属层的所述第一构造部分外的所述第一金属层的厚度。

7.根据权利要求1所述的电流传感器设备，还包括：

电部件，所述电部件电耦合至所述重分布结构。

8.根据权利要求7所述的电流传感器设备，其中所述电部件是可操作用于控制所述第一金属层的所述第一构造部分中的电流的开关。

9.根据权利要求8所述的电流传感器设备，其中所述第一金属层还包括：

第二构造部分，所述第二构造部分形成电互连，所述电互连被配置用于将所述半导体芯片的输入/输出电极或电源电极电耦合至所述电流传感器设备的外部端子，其中所述电部件与所述第二构造部分电流地分离。

10.根据权利要求7所述的电流传感器设备，其中所述电部件是无源器件，所述无源器件包括选自由电阻器、电容器、电感器和集成的无源器件(IPD)芯片构成的组的一个或多个器件。

11.根据权利要求7所述的电流传感器设备，其中所述电部件是有源器件，所述有源器件包括选自由控制器、微处理器和用于无线通信的芯片构成的组的一个或多个器件。

12.根据权利要求7所述的电流传感器设备，其中所述电部件电耦合至所述重分布结构的金属层的被配置为电阻器、电容器、电感器或天线的构造部分。

13.根据权利要求7所述的电流传感器，其中所述电部件的数据传送和/或能量传送是无接触的。

14.根据权利要求2所述的电流传感器，其中所述重分布结构还包括：

有机绝缘层，在所述半导体芯片与所述重分布结构的所述第一金属层之间延伸，并且其中

所述有机绝缘层的竖直击穿电压在所述第一金属层的所述第一构造部分与所述第二构造部分之间的水平击穿电压的1/3至3倍的范围内。