[发明专利]电流传感器设备有效
申请号: | 201410469937.3 | 申请日: | 2014-09-15 |
公开(公告)号: | CN104459273B | 公开(公告)日: | 2018-03-27 |
发明(设计)人: | G·贝尔;V·施特鲁茨;H·托伊斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R19/00 | 分类号: | G01R19/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流传感器 设备 | ||
技术领域
在本文中所描述的实施例总体涉及电流感测技术,并且更具体地涉及磁电流传感器设备。
背景技术
磁电流传感器检测由电流产生的磁场。磁电流传感器设备可以包括导体和半导体芯片,该半导体芯片被配置用于感测由流经该导体的电流产生的磁场。封装也涉及在半导体芯片与导体之间提供电隔离。以较低的代价提供在灵敏度、高击穿电压、寿命等方面的高性能的设备是希望的。
发明内容
根据用于感测测量电流的电流传感器设备的一个实施例,电流传感器设备包括:半导体芯片,包括磁场敏感元件;包封物,在其中嵌入半导体芯片;以及导体,被配置用于承载测量电流,该导体与磁场敏感元件电绝缘。电流传感器设备还包括重分布结构,该重分布结构包括第一金属层。第一金属层包括第一构造部分,该第一构造部分形成导体的一部分。
根据用于感测测量电流的电流传感器设备的另一实施例,电流传感器设备包括半导体芯片,该半导体芯片具有第一主表面,该第一主表面包含磁场敏感元件和重分布结构,该重分布结构在半导体芯片的第一主表面之上延伸。重分布结构包括第一金属层和有机绝缘层,该第一金属层被配置用于形成用于承载测量电流的导体,该有机绝缘层在半导体芯片的第一主表面与导体之间延伸。
根据制造用于测量流经导体的电流的电流传感器设备的方法的一个实施例,该方法包括:将至少两个半导体芯片放置在临时载体上,每个半导体芯片包括磁场敏感元件;利用包封材料覆盖该至少两个半导体芯片,以形成包封物;从包封物去除临时载体;在将主表面从临时载体释放之后,在该至少两个半导体芯片的主表面之上施加有机绝缘层;在有机绝缘层之上施加第一金属层;对第一金属层进行构造以包括第一构造部分,每个第一构造部分形成电流传感器设备的导体的一部分;以及分割该至少两个半导体芯片。
通过阅读以下具体描述以及通过查看附图,本领域技术人员将认识到附加的特征和优点。
附图说明
附图被包括以提供对实施例的进一步理解,并且附图被并入在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与说明书一起用于解释实施例的原理。其他实施例以及实施例的许多预期优点将易于理解,因为通过参考以下具体描述它们将变得更好理解。附图中的元件未必相对于彼此按比例绘制。相同附图标记表示对应的相似部件。
图1示意性地图示了示例性电流传感器设备的截面图。
图2以半透明表示法示意性地图示了图1的电流传感器设备的顶视图。
图3示意性地图示了示例性电流传感器设备的截面图,该电流传感器设备设置有被集成在(电)重分布结构中的增强的电流导体。
图4示意性地图示了示例性电流传感器设备的截面图,该电流传感器设备设置有被集成在(电)重分布结构中的暴露的电流导体。
图5示意性地图示了包括电部件的示例性电流传感器设备的截面图。
图6示意性地图示了包括多金属层(电)重分布结构的示例性电流传感器设备的截面图。
图7以半透明表示法示意性地图示了包括电部件的电流传感器设备的顶视图。
图8以半透明表示法示意性地图示了包括电流导体的电流传感器设备的顶视图,该电流导体被布置在半导体芯片的轮廓内。
图9A至图9K示意性地图示了制造电流传感器设备的方法的示例性工艺的截面图。
图10示意性地图示了被配置为开关的示例性电流传感器设备的电路图。
具体实施方式
在以下具体描述中,对附图进行了参考,附图形成其一部分,并且在附图中借由图示而示出其中可以实践本发明的特定实施例。在这点上,参考所描述的附图的取向来使用方向性术语,诸如“上”、“下”、“顶”、“底”、“左”、“右”等。因为实施例的部件可以定位于多个不同取向上,所以方向性术语用于说明性目的,并且绝不以任何方式进行限制。应当理解,可以利用其它实施例,并且可以在不背离本发明的范围的情况下进行结构的或逻辑的改变。因此,以下具体描述并不以限制性意义进行考虑,并且本发明的范围由所附权利要求限定。
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