[发明专利]一种无压烧结连接大功率GTO模块的方法

权利要求书

1.一种无压烧结连接大功率GTO模块的方法，其特征是以钛为中间金属层，利用磁控溅射设备实现钼基板表面镀银，接着通过纳米银焊膏低温无压烧结实现芯片与基板大面积互连。

2.如权利要求1所述的方法，其特征是具体步骤如下：

(1)对钼基板进行预处理，去除表面污染物，使表面清洁；

(2)进行镀膜，在钼基板上依次镀钛膜和银膜；

(3)对镀膜试样进行退火处理，随炉冷，保护气氛为高纯度≥99.99％在氮气或惰性气体氩气；

(4)使用纳米银焊膏作为互连材料，焊膏涂抹厚度为30-90um，芯片与基板的连接面积为314-1256mm²，将互连接头放在加热台或者加热炉中，实现芯片与基板的低温无压烧结互连，其升温速率为3-8℃/min，加热到250-320℃，保温5-30min；芯片与钼基板实现连接，中间的焊膏层的厚度降为15-45um。

3.如权利要求2所述的方法，其特征是所述的步骤(1)通过磁控溅射设备自带的等离子清洗装置清洗钼基板表面。

4.如权利要求2所述的方法，其特征是所述的步骤(2)，通过调节溅射功率来控制镀膜的速率，调节溅射时间来控制最终膜层的厚度。

5.如权利要求2所述的方法，其特征是所述的步骤(2)，镀钛是功率为20-30W,时间为10-30min。

6.如权利要求2所述的方法，其特征是所述的步骤(2)，镀银功率为20-30W，时间为30-80min。

7.如权利要求2所述的方法，其特征是所述的步骤(3)，退火处理温度300-900℃，时间60-240min。