[发明专利]多芯片封装体及其制造方法在审
| 申请号： | 201410471603.X | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN105097729A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 吴卓根;金锺薰;孙晧荣;李政桓 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种多芯片封装体，包括：
第一芯片，其被安装在第一衬底的上表面之上；
第二芯片，其被安装在所述第一衬底的所述上表面之上；
保护层，其被设置成围绕所述第一芯片和所述第二芯片，所述保护层暴露出所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的上表面；
热界面材料，其被设置在所述第一芯片的所述上表面、所述第二芯片的所述上表面以及所述保护层的上表面之上；以及
散热器，其被设置在所述热界面材料之上。
2.如权利要求1所述的多芯片封装体，其中，所述第一芯片的所述上表面、所述第二芯片的所述上表面以及所述保护层的所述上表面形成整体的平坦表面。
3.如权利要求1所述的多芯片封装体，其中，所述第一芯片的所述上表面、所述第二芯片的所述上表面以及所述保护层的所述上表面形成凹凸形状的粗糙表面。
4.如权利要求1所述的多芯片封装体，其中，所述第一芯片的所述上表面、所述第二芯片的所述上表面以及所述保护层的所述上表面大体上彼此齐平。
5.如权利要求1所述的多芯片封装体，其中，所述第一芯片的尺寸不同于所述第二芯片的尺寸。
6.如权利要求1所述的多芯片封装体，其中，通过所述第一芯片执行的功能不同于通过所述第二芯片执行的功能。
7.如权利要求1所述的多芯片封装体，其中，所述第一芯片包括至少两个垂直层叠的存储器芯片；以及
其中，所述第二芯片包括图形处理单元GPU、中央处理单元CPU或片上系统SoC。
8.如权利要求1所述的多芯片封装体，其中，所述第一衬底具有插入层结构，其包括穿通电极和将所述第一芯片与所述第二芯片耦接的互连。
9.一种多芯片封装体，包括：
第一芯片，其被安装在封装衬底的上表面之上；
第二芯片，其被安装在所述封装衬底的所述上表面之上；
保护层，其被设置成围绕所述第一芯片和所述第二芯片，所述保护层暴露出所述第一芯片的上表面和所述第二芯片的上表面；
热界面材料，其被设置在所述第一芯片的所述上表面、所述第二芯片的所述上表面以及所述保护层的上表面之上；
散热器，其被设置在所述热界面材料之上；以及
垂直加强件，其被设置在所述衬底之上，以支撑所述散热器。
10.一种用于制造多芯片封装体的方法，所述方法包括以下步骤：
将第一芯片和第二芯片安装在第一衬底的上表面之上；
形成覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的保护层；
去除所述保护层的上侧的部分以及所述第一芯片和所述第二芯片的上侧的部分，以暴露出所述第一芯片的上表面、所述第二芯片的上表面以及所述保护层的上表面；
在所述第一芯片的所述上表面之上、所述第二芯片的所述上表面之上以及所述保护层的所述上表面之上形成热界面材料；以及
将散热器附接至所述热界面材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410471603.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于减小自加热效应的SOI高压结构
- 下一篇：重构的插入式半导体封装件
