[发明专利]多芯片封装体及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年5月22日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0061663的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及一种封装技术，更具体而言，涉及一种包括散热器的多芯片封装体及其制造方法。

背景技术

半导体器件可以包括各种电子电路元件，其可以被用于构建电子装置。诸如计算机、移动装置或数据储存器件的各种电子器件可以利用存储半导体芯片或芯片封装体。

为了实现重量轻和尺寸缩小的电子产品，诸如智能型手机，在电子产品内的半导体器件的封装同样应当在尺寸上缩小。收集具有不同功能的半导体芯片到一个封装体的多芯片封装体技术，其实现了单个封装产品内的高容量和的多功能操作，提供了这样理想的形式因子。例如，系统级封装(SysteminPackage，SIP)技术能使具有不同功能的多个芯片布置在衬底上，有效地将芯片封装成尺寸小的封装体。然而，多个半导体芯片在小的区域中执行高速操作，这需要一种有效的热扩散。

发明内容

在一个实施例中，一种多芯片封装体包括：第一芯片和第二芯片，其被彼此平行地安装在第一衬底上；保护层，其具有上第三表面，其围绕第一芯片和第二芯片以暴露出第一芯片的上第一表面和第二芯片的上第二表面，并且将第一表面连接至第二表面；散热器，其被安置在第一表面至第三表面上；以及热界面材料，其被安置在散热器上以及第一表面至第三表面的界面上。

在另一个实施例中，一种多芯片封装体包括：第一芯片和第二芯片，其被彼此平行地安装在封装衬底上；保护层，其具有上第三表面，其围绕第一芯片和第二芯片，以暴露出第一芯片的上第一表面和第二芯片的上第二表面，并且将第一表面连接至第二表面；散热器，其被安置在第一表面至第三表面上；热界面材料，其被安置在散热器上以及第一表面至第三表面的界面上；以及加强件，其与衬底垂直以支撑散热器。

在另一个实施例中，一种用于制造多芯片封装体的方法包括以下步骤：将第一芯片和第二芯片彼此平行地安装在第一衬底上；形成覆盖第一芯片和第二芯片的保护层；去除保护层的上侧的部分以及第一芯片和第二芯片的上侧的部分，以暴露出第一芯片的上第一表面、第二芯片的上第二表面以及将第一表面和第二表面彼此连接的保护层的上第三表面；以及将热界面材料引入至第一表面至第三表面并且附接散热器。

在另一个实施例中，一种存储卡包括多芯片封装体，所述多芯片封装体包括：第一芯片，其被安装在第一衬底的上表面之上；第二芯片，其被安装在第一衬底的上表面之上；保护层，其被设置成围绕第一芯片和第二芯片，保护层暴露出第一芯片的上表面和第二芯片的上表面；热界面材料，其被设置在第一芯片的上表面、第二芯片的上表面以及保护层的上表面之上；以及散热器，其被设置在热界面材料之上。

在另一个实施例中，一种电子系统包括多芯片封装体，所述多芯片封装体包括：第一芯片，其被安装在第一衬底的上表面之上；第二芯片，其被安装在第一衬底的上表面之上；保护层，其被设置成围绕第一芯片和第二芯片，保护层暴露出第一芯片的上表面和第二芯片的上表面；热界面材料，其被设置在第一芯片的上表面、第二芯片的上表面以及保护层的上表面之上；以及散热器，其被设置在热界面材料之上。

在另一个实施例中，一种存储卡包括多芯片封装体，所述多芯片封装体包括：第一芯片，其被安装在封装衬底的上表面之上；第二芯片，其被安装在封装衬底的上表面之上；保护层，其被设置成围绕第一芯片和第二芯片，保护层暴露出第一芯片的上表面和第二芯片的上表面；热界面材料，其被设置在第一芯片的上表面、第二芯片的上表面以及保护层的上表面之上；散热器，其被设置在热界面材料之上；以及垂直加强件，其被设置在衬底之上，以支撑散热器。

在另一个实施例中，一种电子系统包括多芯片封装体，所述多芯片封装体包括：第一芯片，其被安装在封装衬底的上表面之上；第二芯片，其被安装在封装衬底的上表面之上；保护层，其被设置成围绕第一芯片和第二芯片，保护层暴露出第一芯片的上表面和第二芯片的上表面；热界面材料，其被设置在第一芯片的上表面、第二芯片的上表面以及保护层的上表面之上；散热器，其被设置在热界面材料上；以及垂直加强件，其被设置在衬底之上以支撑散热器。

附图说明

本发明构思的实施例结合附图和所附详细描述将变得更加显然，其中：

图1是说明根据一个实施例的多芯片封装体的截面图；

图2和3是说明热界面材料的附接状态的图；

图4至8是说明根据一个实施例用于制造多芯片封装体的方法的图；