[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

具有主表面的半导体基板；

形成于所述半导体基板的所述主表面之上的栅极电极；

形成于所述栅极电极的侧壁之上的侧壁氧化物膜；

形成于所述栅极电极之上且含有氮化硅的第一绝缘层，

其中所述栅极电极包括含硅的第一电极层以及形成于所述第一电极层之上且含有硅化物的第二电极层，

其中所述第一绝缘层具有上表面，所述上表面与所述主表面相对并且具有形成于所述第二电极层之上的区域内的凹陷部，

其中所述侧壁氧化物膜覆盖所述栅极电极和所述第一绝缘层的侧壁，以及

形成于所述栅极电极与所述第一绝缘层之间且含有二氧化硅的第二绝缘层，

其中所述凹陷部被形成为延伸穿过所述第一绝缘层并且使所述第二绝缘层的一部分从所述第一绝缘层中露出。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

形成于所述半导体基板的所述主表面内的源极/漏极区对，位于所述栅极电极之下的沟道形成区介于所述源极/漏极区对之间，

其中所述凹陷部被形成为沿着所述栅极电极的栅极宽度方向平行于所述源极/漏极区对中的每个区延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述凹陷部在平面图中具有比所述源极/漏极区对中的每个区的长度大的长度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二绝缘层具有与所述凹陷部连通的通孔，并且

其中所述凹陷部和所述通孔被形成为使所述第二电极层的一部分从所述第一绝缘层及所述第二绝缘层中露出。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述凹陷部具有在平面图中形成为直线形状的直线部分。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中所述凹陷部还具有在平面图中于所述栅极电极的栅极长度方向上分别从所述直线部分的一端和另一端延伸出的第一及第二尖端部分。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述凹陷部在平面图中形成为环形形状。

8.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

提供具有主表面的半导体基板；

在所述主表面上形成栅极电极，所述栅极电极包括含硅的第一电极层以及形成于所述第一电极层之上且含有硅化物的第二电极层；

在所述栅极电极之上形成含有氮化硅且具有上表面的第一绝缘层，所述上表面与所述主表面相对并且被形成为具有凹陷部；

在具有所述凹陷部的所述第一绝缘层形成之后，在所述栅极电极的侧表面上形成侧壁氧化物膜；以及

在所述栅极电极与所述第一绝缘层之间形成含有二氧化硅的第二绝缘层，其中所述凹陷部被形成为延伸穿过所述第一绝缘层并且使所述第二绝缘层的一部分从所述第一绝缘层中露出。