[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

申请号：	201410473102.5	申请日：	2014-09-17
公开（公告）号：	CN104465356B	公开（公告）日：	2019-10-25
发明（设计）人：	牧幸生	申请（专利权）人：	瑞萨电子株式会社
主分类号：	H01L21/283	分类号：	H01L21/283;H01L21/8242;H01L21/8244;H01L27/108;H01L27/11;G11C11/40
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038	代理人：	陈华成
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件及其制造方法
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【说明书】：

本发明提供半导体器件及其制造方法，在该半导体器件中能够抑制在晶体管的栅极电极与源极/漏极区之一之间的短路发生。在半导体器件中，形成于栅极电极之上且含有氮化硅的第一绝缘层具有上表面，该上表面具有形成于在含有氮化物的栅极电极的第二电极层之上的区域内的凹陷部。

对相关申请的交叉引用

在2013年9月17日提交的日本专利申请No.2013-191922的公开内容，包括说明书、附图和发明摘要全都并入本文，以作参考。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件的越来越高的集成度以及日益小型化不断增强了朝以下多层配置发展的趋势：包含于半导体器件内的多个微小元件被设置成在平面图中彼此重叠。例如，在日本未经审查的专利公开No.2004-79696(专利文献1)中示出了半导体器件的这种多层配置。

在日本未经审查的专利公开No.2004-79696中所公开的半导体器件是称为SRAM(静态随机存取存储器)的非易失性存储器。在日本未经审查的专利公开No.2004-79696所公开的SRAM中，已经对使用称为所谓的TFT(薄膜晶体管)的薄膜晶体管作为负载晶体管的SRAM电路添加了电容器，作为所谓的DRAM(动态随机存取存储器)。在该公开所描述的SRAM中，电荷被保存于作为存储节点部分的替代的电容器内，并且在该电容器的电位由包含于SRAM电路内的所谓的触发器电路保持。

[相关参考文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本未经审查的专利公开No.2004-79696

发明内容

在上述公开所描述的半导体器件中，氧化物膜可以形成于晶体管的栅极电极的侧壁之上。在这种情况下，随着半导体器件日益小型化，可以在氧化物膜于栅极电极的侧壁之上的形成过程中使栅极电极弯向把半导体基板的主表面。这会导致在栅极电极与晶体管的源极/漏极中任一个之间发生短路。

本发明的其他问题和新特征通过在本说明书和附图中的阐述将会变得显而易见。

在一种实施例的半导体器件中，形成于栅极电极之上的且含有氮化硅的第一绝缘层具有上表面，该上表面具有形成于含有硅化物的栅极电极的第二电极层之上的区域内的凹陷部。

在该实施例的半导体器件中，第一绝缘膜具有含有凹陷部的上表面。这能够抑制栅极电极在侧壁氧化物膜的形成期间朝半导体基板的主表面弯曲。结果，可以抑制在晶体管的栅极电极与源极/漏极区中的任一个之间的短路发生。

附图说明

图1是示出一种实施例的半导体器件的配置的平面示意图；

图2是包含于该实施例的半导体器件中的存储单元的等效电路图；

图3是示出与图2的等效电路对应的具体配置的截面示意图；