[发明专利]多芯片集成的多级重布线层有效
申请号: | 201410476243.2 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN104681457B | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | E·格茨;B·麦姆勒;W·摩尔泽;R·马恩科波夫 | 申请(专利权)人: | 英特尔IP公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/304;H01L21/48;H01L23/488;H01L25/065 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 何焜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 集成 多级 布线 | ||
1.一种芯片封装方法,包括:
使用高压和粘附剂将金属薄片层叠至临时载体;
将具有一尺寸标准的第一管芯放置在衬底的所述金属薄片层上并用粘附剂连接所述第一管芯;
将具有一不同尺寸标准的第二管芯放置在所述衬底的所述金属薄片层上并用粘附剂连接所述第二管芯,其中所述第一和第二管芯每个具有不同高度;
研磨第一和第二管芯中的至少一个,使得第一和第二管芯具有距离所述衬底大约相同高度;
在所述第一和第二管芯的上面施加模塑化合物;
去除所述衬底和所述金属薄片层;
形成介电层和导电层以连接所述第一和第二管芯;以及
将球栅阵列连接到所述衬底用以连接到所述第一和第二管芯。
2.如权利要求1所述的方法,其中形成介电层和导电层包括在所述第一和第二管芯上形成重布线层。
3.如权利要求2所述的方法,其中形成所述重布线层包括形成至少一个金属层和至少一个介电层,所述介电层将所述第一和第二管芯从所述金属层隔离。
4.如权利要求3所述的方法,进一步包括形成将所述金属层连接至外部装置的连接垫。
5.如权利要求1所述的方法,进一步包括通过在所述第一和第二管芯上形成另外的层来封装所述第一和第二管芯和所形成的各层。
6.如权利要求1所述的方法,进一步包括通过在所述第一和第二管芯上设置盖来封装所述第一和第二管芯和所形成的各层。
7.如权利要求1所述的方法,进一步包括在在所述衬底上形成从所述衬底延伸的通孔,并在所述第一和第二管芯的背侧上形成耦合到所述通孔的重布线层。
8.如权利要求1所述的方法,其中形成各层包括在所述管芯的被去除衬底的前侧上形成层。
9.如权利要求8所述的方法,其中去除所述衬底包括研磨所述衬底。
10.如权利要求6所述的方法,其中所述封装盖包括所述第一和第二管芯之间以及重布线层上的填充层,用于物理地稳定所述第一和第二管芯。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述填充层是所述模塑化合物。
12.如权利要求2所述的方法,其中重布线层由交替的金属层和介电层以及连接垫形成以将所述金属层连接到第二封装。
13.如权利要求12所述的方法,其中所述重布线层形成在所述第一和第二管芯的前侧上,所述方法进一步包括在所述管芯的背侧上形成的第二重布线层。
14.如权利要求13所述的方法,进一步包括通过所述第二重布线层将所述第一管芯电连接至所述第二管芯。
15.如权利要求13所述的方法,进一步包括:
使用球栅阵列将所述重布线层连接到计算设备的系统板上;
将用户界面控制器连接到所述系统板;
将功率源连接到所述系统板。
16.如权利要求13所述的方法,其中在衬底适当位置上形成所述重布线层前利用溶剂去除所述衬底。
17.如权利要求1所述的方法,进一步包括在所述模塑化合物的上面设置重布线层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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