[发明专利]一种从粗铟提纯出OLED用高纯铟的方法有效
| 申请号： | 201410478356.6 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104263957A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 赵科湘 | 申请（专利权）人： | 株洲科能新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C22B9/02 | 分类号： | C22B9/02;C22B58/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 魏娟 |
| 地址： | 412000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提纯 oled 高纯 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种从粗铟提纯出OLED用高纯铟的方法，其特征在于，在真空度为3～10Pa的真空条件下，对粗铟依次进行4个温度区段的蒸馏：在540～560℃，蒸馏100～120min，在690～710℃，蒸馏40～60min，在740～760℃，蒸馏80～100min，在990～1010℃，蒸馏40～60min，得到6N高纯铟。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在真空度为3～10Pa的真空条件下，对粗铟依次进行4个温度区段的蒸馏：在545～555℃，蒸馏105～110min，在695～705℃，蒸馏45～55min，在745～755℃，蒸馏85～95min，在995～1005℃，蒸馏45～55min，得到6N高纯铟。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的粗铟为纯度在95％的粗铟，包含镉、锌、锑、铊、铋和铅在内的杂质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲科能新材料有限责任公司，未经株洲科能新材料有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410478356.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
