[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410478928.0 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105428303B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 闫江;唐兆云;唐波;王红丽;许静;徐烨锋;杨萌萌;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/28;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;张应 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底；
在衬底中形成背栅掺杂区；
在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层，衬底中形成有所述叠层的隔离结构；
在第二半导体层上形成器件结构；
刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；
通过刻蚀孔进行腐蚀去除器件结构的栅极下的第一半导体层，以形成空腔，仅剩余隔离结构附近的第一半导体层；
在空腔及刻蚀孔中填充介质材料；
刻蚀剩余的隔离结构附近的第一半导体层及其上第二半导体层，以形成沟槽，并在沟槽中填充氧化物。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层的步骤具体为：
在半导体衬底上依次外延生长第一半导体层和第二半导体层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述第一半导体层为GexSi1-x，其中0<x<1，所述第二半导体层为硅。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在空腔及刻蚀孔中填充介质材料的步骤具体为：
采用ALD工艺或者CVD工艺，在空腔中填满第一介质层以及在刻蚀孔的内壁上形成第一介质层；在刻蚀孔中填满第二介质层。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一介质层为高k介质材料，第二介质层为氧化硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410478928.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
