[发明专利]一种膜厚传感器有效
| 申请号： | 201410479802.5 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104278250B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 肖昂 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/24;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 传感器 | ||
1.一种膜厚传感器，其特征在于，所述膜厚传感器设置在设有Mg蒸发源的金属蒸镀腔室内，在所述膜厚传感器的表面上涂覆有Mg/MgO膜层，所述Mg/MgO膜层中Mg和MgO膜层的厚度比为1:0.25-1.5。
2.根据权利要求1所述的膜厚传感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜层的厚度为5-10nm。
3.根据权利要求2所述的膜厚传感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜层的厚度为8nm。
4.根据权利要求1所述的膜厚传感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜层中MgO膜层的厚度为2-3nm。
5.根据权利要求1所述的膜厚传感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜层的厚度为5nm时，所述Mg和MgO膜层的厚度比为1:0.67-1.5。
6.根据权利要求1所述的膜厚传感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜层的厚度为8nm时，所述Mg和MgO膜层的厚度比为1:0.3-0.6。
7.根据权利要求1所述的膜厚传感器，其特征在于，所述Mg/MgO膜层的厚度为10nm时，所述Mg和MgO膜层的厚度比为1:0.25-0.45。
8.一种如权利要求1所述的膜厚传感器的制备方法，其特征在于，包括：
在温度600-700℃的高真空无氧条件下，将Mg材料蒸镀在膜厚传感器上，形成Mg膜层膜厚传感器；将所述Mg膜层膜厚传感器继续放置在温度30-45℃的含氧氩气中60-70秒后，Mg膜层表面部分氧化成MgO，形成Mg/MgO膜层膜厚传感器。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述含氧氩气中氧气浓度为5-6％。
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