[发明专利]一种膜厚传感器

说明书

技术领域

本发明涉及蒸镀领域，尤其涉及一种蒸镀用膜厚传感器。

背景技术

在现有的OLED面板生产中，通常选用Mg/Ag合金作为阴极材料，并通过蒸镀的方法将阴极材料蒸镀到基板玻璃上。为了精确地监控蒸镀到基板上的阴极材料的膜厚度，通常会在Mg和Ag蒸发源上设有膜厚传感器，一般情况下，所选用的膜厚传感器为石英膜厚传感器。

一般来说，为了满足连续生产的需要，通常会在同一金属蒸镀腔室内设计有两个蒸发源，一个为主Mg蒸发源，另一个则为备用Mg蒸发源(两个蒸发源包含两个与之相对应的膜厚传感器)。但在实际生产中，本发明人发现，Mg蒸汽很难附着在石英膜厚传感器上，换言之，Mg蒸汽附着在石英膜厚传感器上的速度非常慢，通常情况下Mg蒸汽从开始蒸发到膜厚传感器上到其蒸发速率达到稳定阶段大概需要1小时，不仅时间过长，还无疑会造成Mg材料在很大程度上的浪费。

所以，为了克服上述技术问题，提供一种使Mg材料易于附着，可有效避免Mg材料浪费的膜厚传感器是本领域技术人员所面临的重要课题。

发明内容

本发明实施例提供了一种膜厚传感器，以使Mg材料易于附着在膜厚传感器上，从而避免Mg材料的浪费。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种膜厚传感器，在所述膜厚传感器的表面上涂覆有Mg或Mg/MgO膜层。

可选的，所述Mg或Mg/MgO膜层的厚度为5-10nm。

进一步的，所述Mg或Mg/MgO膜层的厚度为8nm。

可选的，所述Mg/MgO膜层中MgO膜层的厚度为2-3nm。

可选的，所述Mg/MgO膜层中Mg和MgO膜层的厚度比为1:0.25-1.5。

进一步的，所述Mg/MgO膜层的厚度为5nm时，所述Mg和MgO膜层的厚度比为1:0.67-1.5。

或者，所述Mg/MgO膜层的厚度为8nm时，所述Mg和MgO膜层的厚度比为1:0.3-0.6。

或者，所述Mg/MgO膜层的厚度为10nm时，所述Mg和MgO膜层的厚度比为1:0.25-0.45。

一种如上述技术方案所提供的膜厚传感器的制备方法，包括：

在温度600-700℃的高真空无氧条件下，将Mg材料蒸镀在膜厚传感器上，形成Mg膜层膜厚传感器；或

在温度600-700℃的高真空无氧条件下，将Mg材料蒸镀在膜厚传感器上，形成Mg膜层膜厚传感器；将所述Mg膜层膜厚传感器继续放置在温度30-45℃的含氧氩气中60-70秒后，Mg膜层表面部分氧化成MgO，形成Mg/MgO膜层膜厚传感器。

可选的，所述含氧氩气中氧气浓度为5-6％。

本发明实施例提供了一种膜厚传感器，其主要改进点在于在膜厚传感器的表面涂覆有Mg或Mg/MgO膜层。一般情况下所选用的膜厚传感器多为石英膜厚传感器，由于石英与Mg原子自身属性差异，使得蒸镀材料Mg很难附着在石英材料上。本发明实施例通过在膜厚传感器的表面上预先涂覆一层Mg或Mg/MgO膜层，使得蒸镀材料Mg更容易地附着在Mg或Mg/MgO膜层上，这样不仅可减少Mg蒸汽从开始蒸发到膜厚传感器上到其蒸发速率达到稳定时的时间，还可避免Mg材料在达到速率稳定阶段前造成的材料浪费。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种膜厚传感器，在所述膜厚传感器的表面上涂覆有Mg或Mg/MgO膜层。

本发明实施例提供的膜厚传感器为石英膜厚传感器，由于石英的主要成分为二氧化硅，属于非金属矿物质，而蒸镀材料Mg属于金属元素，由于二者的自身属性不同，使得Mg材料在蒸镀时很难附着在石英膜厚传感器的表面上，在该条件下，如要达到Mg材料稳定的蒸发速率，则时间必定会很长，也会在很大程度上浪费Mg材料。在本实施例中，通过在石英膜厚传感器的表面上预先蒸镀一层Mg或Mg/MgO膜层，这样，由于蒸镀材料Mg与Mg或Mg/MgO膜层的元素性质一致，这就可使Mg材料在蒸镀时较容易地附着在石英膜厚传感器表面上所涂覆的Mg或Mg/MgO膜层上，从而减少Mg材料在蒸发至其稳定蒸发速率的时间，进而减少由此而浪费的Mg材料。