[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

步骤1，在衬底上第一区域和第二区域中形成多个鳍片结构；

步骤2，在第一区域和第二区域中多个鳍片结构上形成保护层；

步骤3，选择性光刻/刻蚀去除第二区域中的保护层，露出鳍片结 构；

步骤4，在第二区域中露出的鳍片结构上形成第二外延层；

步骤5，自对准刻蚀去除第一区域中的保护层，露出鳍片结构；

步骤6，在第一区域中露出的鳍片结构上形成第一外延层。

2.如权利要求1的方法，其中，第一区域为NMOS区域，第二区域为 PMOS区域；或者，第一区域为PMOS区域，第二区域为NMOS区域。

3.如权利要求1的方法，其中，保护层的材质选自以下之一或其组 合：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、非晶碳、类金刚石 无定形碳、无定形碳氮、多晶硼氮、非晶氟化氢化碳、非晶氟化 碳、氟化四面体碳。

4.如权利要求1的方法，其中，步骤3进一步包括：

在第一区域和第二区域中的保护层上形成掩模层；

光刻/刻蚀掩模层形成掩模图形，覆盖第一区域的保护层，露出 第二区域的保护层；

以掩模图形为掩模，刻蚀第二区域的保护层，露出鳍片结构。

5.如权利要求4的方法，其中，掩模层包括光刻胶，或者低K材料与 光刻胶的组合。

6.如权利要求1的方法，其中，在步骤3和/或步骤5中，采用碳氟基 气体等离子干法刻蚀、氧等离子体干法刻蚀、或者湿法腐蚀去除 保护层。

7.如权利要求1的方法，其中，第一外延层和/或第二外延层的材质 选自以下之一或其组合：Si、SiC、Si:H、SiGe、SiGeC、SiGeSn。

8.如权利要求1的方法，其中，步骤4中，第二外延层的生长终止面 为<111>晶面；步骤6中，第二区域中的第二外延层上也具有第一 外延层，并且第二区域中第一外延层的厚度小于第二外延层的厚 度。

9.如权利要求1的方法，其中，在步骤4之后、步骤5之前，通过轻 掺杂注入在第二外延层中形成LDD结构；或者在步骤4中，原位掺 杂在第二外延层中形成LDD结构。

10.如权利要求1的方法，其中，步骤1中还包括在多个鳍片结构之间 形成浅沟槽隔离结构；步骤3的保护层与步骤1同时形成。

11.如权利要求1的方法，其中，步骤5进一步包括：

在第一区域和第二区域中的保护层上形成掩模层；

光刻/刻蚀掩模层形成掩模图形，覆盖第二区域而露出第一区域 的保护层；

以掩模图形为掩模，刻蚀第一区域的保护层，露出鳍片结构。