[发明专利]具有高可靠性的可合并半导体器件

权利要求书

1.一种器件，包括：

半导体衬底；

源极区域和漏极区域，位于所述半导体衬底内，具有第一导电类型并且彼此横向隔开；以及

复合体区域，位于所述半导体衬底内，具有第二导电类型并且沟道在操作期间被形成于其中以用于使电荷载流子从所述源极区域流向所述漏极区域，所述复合体区域包括横向延伸跨过所述源极区域和漏极区域的第一阱区域和位于所述第一阱区域内的第二阱区域；

其中所述漏极区域位于所述第二阱区域内，使得所述电荷载流子从所述第一阱区域流入所述第二阱区域以到达所述漏极区域；以及

其中所述第二阱区域包括具有所述第一导电类型的掺杂物以具有比所述第一阱区域的第二导电类型的掺杂物浓度水平更低的净掺杂物浓度水平。

2.根据权利要求1所述的器件，还包括：

漏极延伸区域，位置邻近所述漏极区域，具有所述第一导电类型并且在所述电荷载流子退出所述沟道之后通过其中；以及

位于所述漏极延伸区域内的袋，具有所述第二导电类型并且被配置为沿着所述漏极区域的边缘建立耗尽区。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述袋位于所述半导体衬底的表面。

4.根据权利要求2所述的器件，其中所述漏极延伸区域位于所述第二阱区域内。

5.根据权利要求2所述的器件，还包括：由位于所述源极区域和漏极区域之间的半导体衬底支持的栅极结构，其中所述袋沿着所述栅极结构的边缘放置。

6.根据权利要求1所述的器件，还包括：

位于所述半导体衬底内的隔离环，其中所述器件位于所述半导体衬底中；以及

另外的源极区域和另外的漏极区域，位于所述隔离环内的所述半导体衬底中，具有所述第一导电类型并且彼此横向隔开；

其中：

另外的沟道形成于所述复合体区域内以使另外的电荷载流子在操作期间从所述另外的源极区域流向所述另外的漏极区域；

所述复合体区域的所述第一阱区域横向延伸跨过所述另外的源极区域和另外的漏极区域；

所述复合体区域还包括位于所述第一阱区域内的第三阱区域；

所述另外的漏极区域位于所述第三阱区域上使得所述另外的沟道内的所述另外的电荷载流子从所述第一阱区域流入所述第三阱区域以到达所述另外的漏极区域；以及

其中所述第三阱区域具有比所述第一阱区域更低的掺杂物浓度水平。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述隔离环包括：

位于所述半导体衬底内的掩埋绝缘层，横向延伸跨过所述复合体区域的整个范围并位于所述复合体区域的整个范围下面；以及

深槽隔离(DTI)环，限定所述复合体区域的横向周边并且从所述半导体衬底的表面延伸以到达所述掩埋绝缘层。

8.根据权利要求6所述的器件，其中：

所述复合体区还包括位于所述第一阱区域内的体接触区域；以及

首次提及的所述沟道和所述另外的沟道关于所述体接触区域对称放置。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一阱区域在所述半导体衬底的表面包括具有所述第二导电类型的掺杂物，具有所述第二导电类型的所述掺杂物的浓度水平比所述第一导电类型的所述掺杂物的浓度水平高出不到一个数量级大小。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体衬底包括基体衬底、位于所述基体衬底上的掩埋绝缘层和位于所述掩埋绝缘层上并且所述源极区域、漏极区域和复合体区域位于其中的半导体层。