[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410486976.4 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105513943B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 施林波;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 背面 减薄 半导体器件 键合工艺 硅通孔 接合 工艺流程 崩裂 补胶 堆叠 修边 生产成本 切割 制作 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供第一晶圆和第二晶圆，进行第一键合工艺，以将所述第一晶圆的正面和所述第二晶圆的正面接合；
对所述第二晶圆的背面进行第一减薄；
提供第三晶圆，所述第三晶圆内形成有硅通孔；
进行第二键合工艺，以将所述第二晶圆的背面与所述第三晶圆的正面接合；
自所述第一晶圆的背面开始对依次堆叠的所述第一晶圆、所述第二晶圆和所述第三晶圆进行深修边；
对所述第一晶圆的背面进行第二减薄；
对所述第三晶圆的背面进行第三减薄，以使所述硅通孔的底部从所述第三晶圆的背面露出；
进行切割工艺，以形成单个的晶粒。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一键合工艺为熔融键合。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二键合工艺为共晶键合工艺。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述深修边的宽度为2.5～3.5mm，深度为1000～1300μm。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在对所述第二晶圆的背面进行减薄的步骤之前，还包括对所述第二晶圆进行第一修边的步骤。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一修边的宽度为2～2.5mm。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一减薄后所述第二晶圆的厚度为20～60μm。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二减薄后所述第一晶圆的厚度为100～300μm。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三减薄后所述第三晶圆的厚度为100～200μm。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一晶圆上形成有CMOS器件，所述第二晶圆上形成有MEMS器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410486976.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：延伸管芯尺寸的方法和系统及并入管芯的封装半导体器件
- 下一篇：一种双管泡壳
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
