[发明专利]电子装置及其电子熔丝

权利要求书

1.一种电子熔丝，其特征在于，包括：

一晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其中，该晶体管的第一端接收一电源电压，该晶体管的第二端耦接至一参考接地电压；以及

一电压选择器，接收一编程电压以及一读取电压，并依据一控制信号以选择该编程电压或该读取电压以传送至该晶体管的控制端，

其中，该控制信号指示该电子熔丝操作在一编程模式或一读取模式，该电子熔丝操作在该编程模式时，该编程电压被提供至该晶体管的控制端用以使该晶体管的栅极氧化层发生破坏，该读取电压为该接地电压或该电源电压。

2.根据权利要求1所述的电子熔丝，其特征在于，该编程电压的电压值大于该电源电压的电压值或不大于该参考接地电压。

3.根据权利要求1所述的电子熔丝，其特征在于，该电压选择器包括：

一第一开关，其第一端耦接至该晶体管的控制端，该第二开关的第二端接收该编程电压，该第一开关在该编程模式下被导通；以及

一第二开关，其第一端耦接至该晶体管的控制端，该第二开关的第二端接收该读取电压，该第二开关在该读取模式下被导通。

4.根据权利要求3所述的电子熔丝，其特征在于，该第一开关以及该第二开关不同时导通。

5.根据权利要求1所述的电子熔丝，其特征在于，该电压选择器具有第一输入端、第二输入端以及输出端，其中该电压选择器的第一及第二输入端分别接收该编程电压以及该读取电压，该选择器的输出端耦接至该晶体管的控制端，

其中，该电压选择器依据该控制信号以选择传送该编程电压或该读取电压至该选择器的输出端。

6.根据权利要求1所述的电子熔丝，其特征在于，该晶体管为N型增强式金氧半场效晶体管或P型增强式金氧半场效晶体管，当该晶体管为N型增强式金氧半场效晶体管时，该读取电压为该接地电压，当该晶体管为P型增强式金氧半场效晶体管时，该读取电压为该电源电压。

7.一种电子装置，其特征在于，包括：

一核心电路；以及

一设定装置，耦接该核心电路，用以提供至少一设定码至该核心电路，该设定装置包括：

至少一电子熔丝，包括

一晶体管，具有第一端、第二端以及控制端，其中，该晶体管的第一端接收一电源电压，该晶体管的第二端耦接至一参考接地电压；以及

一电压选择器，接收一编程电压以及一读取电压，并依据一控制信号以选择该编程电压或该读取电压以传送至该晶体管的控制端，

其中，该控制信号指示该电子熔丝操作在一编程模式或一读取模式，该电子熔丝操作在该编程模式时，该编程电压被提供至该晶体管的控制端用以使该晶体管的栅极氧化层发生破坏，该读取电压为该电源电压或该接地电压，

其中，该至少一电子熔丝在该读取模式下，该至少一设定码依据该晶体管的第一、二端间的电流而产生，且该至少一设定码被提供至该核心电路以对该核心电路进行功能设定。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该编程电压的电压值大于该电源电压的电压值或不大于该参考接地电压。

9.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该晶体管为N型增强式金氧半场效晶体管或P型增强式金氧半场效晶体管，当该晶体管为N型增强式金氧半场效晶体管时，该读取电压为该接地电压，当该晶体管为P型增强式金氧半场效晶体管时，该读取电压为该电源电压。

10.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，该电压选择器包括：

一第一开关，其第一端耦接至该晶体管的控制端，该第二开关的第二端接收该编程电压，该第一开关在该编程模式下被导通；以及

一第二开关，其第一端耦接至该晶体管的控制端，该第二开关的第二端接收该读取电压，该第二开关在该读取模式下被导通，

其中，该第一开关以及该第二开关不同时导通。

收集一特定空间中对应于一第一时间区间的多个第一人数以及多个第一电器使用状态；

依据该些第一人数以及该些第一电器使用状态建立关联于该第一时间区间的一预测模型；

检测在一第二时间区间时的一第二电器使用状态；以及

依据该预测模型预测对应于该第二时间区间以及该第二电器使用状态的一第二人数。