[发明专利]非易失性存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括：

衬底；

栅极结构，包括依次设置于所述衬底上的隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和栅极材料层；

源极和漏极，设置于所述栅极结构的两侧的所述衬底中，且所述源极和所述漏极的导电类型与所述衬底的导电类型相反；

掺杂半导体层，设置于所述漏极中并与所述捕获电荷层相连，且所述掺杂半导体层的导电类型与所述漏极的导电类型相反。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述掺杂半导体层位于所述栅极结构的下方，且所述掺杂半导体层的上表面和所述捕获电荷层的下表面重合。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其特征在于，所述掺杂半导体层的上表面不低于所述隧穿介质层的上表面，且所述掺杂半导体层贯穿所述隧穿介质层设置。

4.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其特征在于，所述掺杂半导体层的上表面不高于所述衬底的表面，且所述捕获电荷层贯穿所述隧穿介质层设置。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的非易失性存储器，其特征在于，

所述衬底的导电类型为P型，所述源极和所述漏极的导电类型为N型，所述掺杂半导体层的导电类型为P型；或

所述衬底的导电类型为N型，所述源极和所述漏极的导电类型为P型，所述掺杂半导体层的导电类型为N型。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其特征在于，

所述衬底为P型单晶硅，所述掺杂半导体层为P型多晶硅，且所述掺杂半导体层中的掺杂元素为硼；或

所述衬底为N型单晶硅，所述掺杂半导体层中为N型多晶硅，且所述掺杂半导体层中的掺杂元素为磷或砷。

7.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其特征在于，所述漏极包括轻掺杂漏极和形成于所述轻掺杂漏极中的重掺杂漏极，所述掺杂半导体层位于轻掺杂漏极中。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器，其特征在于，所述轻掺杂漏极中的掺杂元素的浓度为1E+14～1E+16atoms/cm³，所述掺杂半导体层中的掺杂元素的浓度为1E+15～1E+18atoms/cm³。

9.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其特征在于，所述隧穿介质层为SiO₂层，所述捕获电荷层为SiN层，所述顶部介质层为SiO₂层，所述栅极材料层为N型多晶硅层或P型多晶硅层。

10.一种非易失性存储器的制作方法，包括在衬底上形成由依次形成于所述衬底上的隧穿介质层、捕获电荷层、顶部介质层和栅极材料层构成的栅极结构，以及在所述栅极结构的两侧的所述衬底中形成导电类型与所述衬底的导电类型相反的源极和漏极的步骤，

其特征在于，所述制作方法还包括在所述漏极中形成与所述捕获电荷层相连的、导电类型与所述漏极的导电类型相反的掺杂半导体层的步骤。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，

所述漏极包括轻掺杂漏极和形成于所述轻掺杂漏极中的重掺杂漏极，所述源极包括轻掺杂源极和形成于所述轻掺杂源极中的重掺杂源极；

在形成所述掺杂半导体层的步骤中，形成位于所述栅极结构下方的所述轻掺杂漏极中的所述掺杂半导体层。