[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

预备引线框架，所述引线框架包括：

基座部分，所述基座部分包括设置为安装一个或多个半导体器件管芯的顶部表面；

多个连接引线，每个连接引线包括用于外部连接的相对于所述基座部分的所述顶部表面水平地设置的部分，以及用于连接至所述一个或多个半导体器件管芯的具有角度的尖端部分，所述具有角度的尖端部分相对于所述基座部分的所述顶部表面具有正角度，其中，每个连接引线的厚度为使得所述具有角度的尖端部分在模制过程中可以被变形；

通过薄膜辅助成型模制所述基座部分和所述多个连接引线，其中，所述具有角度的尖端部分在所述薄膜辅助成型过程中用于与第一薄膜封合，所述具有角度的尖端部分在所述薄膜辅助成型过程中变形，使得在所述薄膜辅助成型之后，所述具有角度的尖端部分相对于所述基座部分水平地布置；

在所述薄膜辅助成型之后将所述一个或多个半导体器件管芯安装至所述基座部分的所述顶部表面；

在所述薄膜辅助成型之后将安装的所述一个或多个半导体器件管芯打线焊至所述多个连接引线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜辅助成型包括：

将所述第一薄膜放置在所述多个连接引线和所述基座部分上方；

将第二薄膜放置在所述多个连接引线和所述基座部分的下方；

围绕所述基座部分和所述多个连接引线封闭所述第一薄膜和所述第二薄膜，以此在所述多个连接引线的顶部和底部中所述多个连接引线与所述基座部分重合的地方、以及在所述多个连接引线和所述基座部分之间生成空腔，其中，所述多个连接引线的所述具有角度的尖端部分设置为封闭所述第一薄膜；

将模制合成物注入所述空腔，从而将所述多个连接引线与所述基座部分电隔离。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述具有角度的尖端部分配置为在所述薄膜辅助成型过程中弹性地偏向所述第一薄膜。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述多个连接引线为浮置引线。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述浮置引线物理上与所述基座部分相隔离。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述具有角度的尖端部分与所述基座叠置。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述多个连接引线中的每个连接引线的一端被钳制在位于连筋处的模制机器中。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有角度的尖端部分相对于所述基座部分的所述顶部表面具有在3度至5度之间的正角度。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个连接引线中的每个连接引线具有在0.2毫米至0.5毫米之间的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有角度的尖端部分的边缘包括收容部分。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为射频放大器器件。