[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

对于所谓的薄膜辅助成型(FAM)器件处理技术，本发明提供了半导体器件的引线框架，包括基座部分和连接引线。基座部分配置为设置半导体管芯。连接引线包括水平部分，用于外部连接；以及具有角度的部分，用于连接半导体管芯。其中具有角度的部分具有相对于基座部分的正角度。连接引线可包括收容部分。

技术领域

本发明涉及半导体器件的引线框架。特别地，该半导体器件可以是射频(RadioFrequency，RF)器件，如射频放大器。该引线框架可以适用于膜辅助成型(FilmAssistedMoulding，FAM)技术。

背景技术

半导体封装或密封典型地由一个或多个金属、塑料、玻璃或陶瓷材料形成，它们被装配用于收容一个或多个半导体管芯。这种封装可以为管芯提供免受影响和侵蚀的保护，并耗散管芯所产生的热量。

在射频领域，半电子器件，例如射频功率放大器器件领域，有必要利用射频隔离来减小信道之间的信号串扰和在金属器件中可能感生的射频回波电流。射频隔离还可以保持放大信号的完整性，并减小信号测量的不确定性。

射频技术器件封装，已知的有例如陶瓷铜焊封装结构或液晶聚合物(LiquidCrystalPolymer，LCP)封装结构，可以提供良好的射频隔离和电磁传导。然而，这些封装结构的生产成本较高。

通常认为，塑料合成物空腔模制封装是陶瓷或LCP封装的较为经济的替代。然而，在半导体器件上应用塑料模制合成物密封时，可许多挑战。最值得注意的是减小和控制所谓的模闪(MouldFlashing，也称为模漫或模渗)，以露出金属的浮制引线，从而额外的电连接例如打线焊可以自模合成物中露出。其他诸如射频半导体器件和高压MOSFET器件是有名的高发热器件，也可能限制塑料模制合成物密封和模制技术的应用。这是由于存在潜在的由于熔化导致对密封体的损害。

请参考图1，引线框的引线10是浮置的。该名词“浮置引线”指的是在模制前，引线被保持于(或浮于)器件封装的基座12上的情况。该引线称为“浮置”是因为其既不直接接触基座12、也不由基座12支撑。在模制过程中，引线的一端被钳制在位于引线的连筋端(未示出)的模制机器中。在模制过程之后，其将会由固化的模制合成物机械支撑，如以下所述。

封装的基座12典型地由金属材料形成，其作用是供半导体管芯设置于其上(图1中未示出)。基座12还可以作为半导体器件管芯的散热器，并可以通过与半导体管芯之间的适当的导电接触来提供额外的电连接，例如器件管芯的背部接点连接到基座。

如图2所示，后续的密封注塑的合成物16将基座12与引线10隔离开来，如上所述，当固化时，为基座12上方的引线提供机械支撑。亦如前所述的，模制技术可能的结果是会发生一些模闪。通过最小化模闪，可以保持引线的一部分(由图中13所示)露出模制合成物16，从而使得引线10可以通过适当的打线焊技术连接到半导体管芯14上，其中半导体管芯14在器件封装过程的后续工序中被设置在基座12上。

一种已知的模制或者密封器件是膜辅助成型(FAM)。FAM是一种所谓的转印模制技术，其在模制过程中使用塑料薄膜，意图在模制过程中阻止液态的模制合成物到达器件的特定区域，例如将要进行打线焊的引线的部分。其他已知的模制的技术包括热压技术，其不涉及利用薄膜阻止液态模制合成物到达器件的特定区域的使用。

图3和图4概括地示出了一种已知的FAM的示例性结构，其中，薄膜34、36置于引线10、基座12以及一个或多个半导体管芯14上，所述一个或多个半导体管芯14可设置于基座12上。在该示例中示出了两种薄膜，包括用在模顶部30的第一薄膜34，以及用在模底部32的第二薄膜36。在FAM过程中，模的顶部30和底部32部分包围基座12、引线10和器件管芯14而闭合。随后，向薄膜施加压力和热量，从而其在基座12、引线10以及器件管芯14周围封合。