[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 201410490569.0 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN104517806B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 大森圭悟;矶明典;今冈裕一;千岛理惠 | 申请（专利权）人： | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 丁香兰,庞东成 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法，其为对在表面形成有成为取向膜的聚酰亚胺膜并且所述聚酰亚胺膜为摩擦处理完成后的状态的液晶显示面板用基板进行处理的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法包括第1工序：利用使至少包含氮气的气体溶解于水中而成的氮气溶解水对所述基板进行清洗，
所述氮气溶解水的温度被调整为45℃以上且80℃以下的范围内。
2.一种基板处理方法，其为对在表面形成有成为取向膜的聚酰亚胺膜并且所述聚酰亚胺膜为摩擦处理完成后的状态的液晶显示面板用基板进行处理的基板处理方法，其中，
所述基板处理方法包括以下工序：
第1工序，利用使至少包含氮气的气体溶解于水中而成的氮气溶解水对所述基板进行清洗；
第2工序，利用试剂对通过所述第1工序清洗后的所述基板进行清洗；和
干燥工序，使通过所述第2工序清洗后的所述基板干燥，
所述氮气溶解水的温度被调整为45℃以上且80℃以下的范围内。
3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述氮气溶解水的温度被调整为60℃以上且80℃以下的范围内。
4.一种基板处理装置，其为对在表面形成有成为取向膜的聚酰亚胺膜并且所述聚酰亚胺膜为摩擦处理完成后的状态的液晶显示面板用基板进行处理的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置具有：
氮气溶解水生成部，其使至少包含氮气的气体溶解于水中而生成氮气溶解水；
温度维持装置，其将在该氮气溶解水生成部生成的氮气溶解水维持为45℃以上且80℃以下的范围内的温度；和
第1清洗部，其利用维持为所述温度范围内的温度的所述氮气溶解水来清洗所述基板。
5.一种基板处理装置，其为对在表面形成有成为取向膜的聚酰亚胺膜并且所述聚酰亚胺膜为摩擦处理完成后的状态的液晶显示面板用基板进行处理的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置具有：
氮气溶解水生成部，其使至少包含氮气的气体溶解于水中而生成氮气溶解水；
温度维持装置，其将在所述氮气溶解水生成部生成的氮气溶解水维持为45℃以上且80℃以下的范围内的温度；
第1清洗部，其利用维持为所述温度范围内的温度的所述氮气溶解水来清洗所述基板；
第2清洗部，其利用特定的试剂对通过所述第1清洗部清洗后的基板进行清洗；和
干燥室，其使通过所述第2清洗部清洗后的所述基板干燥。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
