[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及对液晶显示面板中使用的基板进行处理的基板处理方法和基板处理装置，特别涉及对摩擦处理完成后的上述基板进行处理的基板处理方法和基板处理装置。

在液晶显示面板的制造工序中，通常对在表面形成有取向膜(例如聚酰亚胺膜)的液晶基板进行摩擦处理。该摩擦处理中，在上述基板的取向膜的表面按压卷绕有例如尼龙制的摩擦布的辊，使该辊旋转从而使得上述摩擦布摩擦上述取向膜的表面。通过如此对基板的取向膜擦蹭摩擦布，取向膜(例如聚酰亚胺膜)表面的高分子链在一定方向被压坏，因此取向膜(高分子膜)产生各向异性，通过该取向膜的各向异性而规定了液晶分子的取向方向。

通过这样的摩擦处理，取向膜(聚酰亚胺膜)的被磨削掉的渣料或受到来自尼龙制的摩擦布的氟离子的影响的取向膜成分(聚酰亚胺)会使基板表面被污染。此外，聚酰亚胺本身所含有的氟离子有时也会与其它物质结合，从而成为污染物质(氟化合物)。因此，需要对摩擦处理完成后的基板进行清洗。在该清洗摩擦处理完成后的基板的现有方法(例如参见专利文献1)中，在基板中的取向膜的表面形成有纯水的遮蔽层的状态下，将试剂覆盖在该基板表面。由此，在试剂的表面漂浮移动的尘垢不会以静电方式附着于被纯水的遮蔽层所被覆的取向膜表面，而被上述试剂冲洗掉。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-299234号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在上述摩擦处理完成后的基板的清洗中，不仅是取向膜的被磨削掉的渣料，能够有效地除去受到会在上述摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分(氟化合物)也很重要。但是，在上述现有的基板的清洗方法(处理方法)中，并未特别考虑受到氟离子的影响而产生的污染成分。

本发明是鉴于这样的情况而进行的，提供一种基板处理方法和基板处理装置，其能够有效地除去受到会在摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分。

用于解决问题的手段

本发明的基板处理方法为下述构成：其是对液晶显示面板中使用的摩擦处理完成后的基板进行处理的基板处理方法，其包括利用氮气溶解水对上述基板进行清洗的第1工序，该氮气溶解水是将至少包含氮气的气体溶解于水中而成的，上述氮气溶解水的温度被调整为40℃以上且80℃以下的范围内。

通过这样的构成，利用被调整为40℃以上且80℃以下的范围内的某个温度的氮气溶解水来清洗摩擦处理完成后的基板。在该清洗过程中，氮气溶解水的至少氮成分和水成分与受到会在摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分在40℃以上且80℃以下的范围内的某个温度下能够发生化学反应。

本发明的基板处理方法中，可以为以下构成：包括利用特定的试剂对通过上述第1工序清洗后的上述基板进行清洗的第2工序。

通过这样的构成，利用上述氮气溶解水清洗后的摩擦完成后的基板进一步用特定的试剂进行清洗。

上述氮气溶解水的温度更优选可以调整为45℃以上且80℃以下的范围内，进一步优选可以调整为60℃以上且80℃以下的范围内。

此外，本发明的基板处理装置为下述构成：其为对液晶显示面板中使用的摩擦处理完成后的基板进行处理的基板处理装置，所述基板处理装置具有：氮气溶解水生成部，其使至少包含氮气的气体溶解于水中而生成氮气溶解水；温度维持装置，其将在该氮气溶解水生成部生成的氮气溶解水维持为40℃以上且80℃以下的范围内的温度；和第1清洗部，其利用维持为上述温度范围内的温度的上述氮气溶解水来清洗上述基板。

通过这样的构成，在第1清洗部，利用维持为40℃以上且80℃以下的范围内的某个温度的氮气溶解水来清洗摩擦处理完成后的基板。该清洗过程中，氮气溶解水的至少氮成分和水成分与受到会在摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分在40℃以上且80℃以下的范围内的某个温度下能够发生化学反应。

发明的效果

根据本发明的基板处理方法和基板处理装置，氮气溶解水的至少氮成分和水成分与受到会在摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分在40℃以上且80℃以下的范围内的某个温度下能够发生化学反应，因此能够有效地除去受到会在上述摩擦处理中产生的氟离子的影响而产生的污染成分。

附图说明

图1是示出本发明的基板处理装置的基本构成的图。