[发明专利]强化基底的方法以及触控装置的基底在审

专利信息
申请号: 201410490832.6 申请日: 2014-09-22
公开(公告)号: CN104699292A 公开(公告)日: 2015-06-10
发明(设计)人: 黄世杰;郑国铸;黄子奕;张至馨;黄俊铭 申请(专利权)人: 胜华科技股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 强化 基底 方法 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种强化基底的方法,其特征在于,包括:

提供至少一第一基底,所述第一基底具有一侧面、一第一面以及一与所述第一面相反的第二面;

在所述第一基底的所述第一面与所述第二面上分别贴附一第一抗酸膜与一第二抗酸膜;以及

对贴附有所述第一抗酸膜以及所述第二抗酸膜的所述第一基底进行一边缘蚀刻工艺,用以对所述第一基底的所述侧面产生导角化以及强化的效果。

2.根据权利要求1所述的强化基底的方法,其特征在于,还包括:在所述第一基底上形成一触控组件,其中所述触控组件是形成在所述第一

面与所述第二面的至少其中一面上。

3.根据权利要求1所述的强化基底的方法,其特征在于,还包括:提供多个所述第一基底;

在各所述第一基底的所述第一面与所述第二面上分别贴附所述第一抗酸膜与所述第二抗酸膜;

将贴附有所述第一抗酸膜以及所述第二抗酸膜的所述第一基底互相堆栈;

以及

对贴附有所述第一抗酸膜以及所述第二抗酸膜的所述第一基底进行所述边缘蚀刻工艺,用以对各所述第一基底的所述侧面产生导角化以及强化的效果。

4.根据权利要求3所述的强化基底的方法,其特征在于,还包括:

在所述边缘蚀刻工艺之前,对堆栈的所述第一基底一起进行一磨边工艺,其中所述边缘蚀刻工艺是用以至少部分去除所述第一基底的所述侧面的裂痕。

5.根据权利要求1所述的强化基底的方法,其特征在于,所述第一基底是内缩于所述第一抗酸膜与所述第二抗酸膜之内。

6.根据权利要求1所述的强化基底的方法,其特征在于,所述侧面包括一第三面、一第四面以及一第五面,所述第三面与所述第一面相接,所述第五面与所述第二面相接,所述第四面设置在所述第三面与所述第五面之间,其中所述第三面与所述第五面其中至少一种的至少部分为弧面,且所述第三面、所述第四面与所述第五面其中至少一种具有齿状结构。

7.一种强化基底的方法,其特征在于,包括:

提供至少一第一基底,所述第一基底具有一侧面、一第一面以及一与所述第一面相反的第二面;

在所述第一基底的所述第一面与所述第二面上分别贴附一第一挡墙与一第二挡墙;以及

对贴附有所述第一挡墙以及所述第二挡墙的所述第一基底进行一边缘涂胶工艺,用以在所述第一基底的所述侧面上形成一保护层。

8.根据权利要求7所述的强化基底的方法,其特征在于,还包括:

在所述第一基底上形成一触控组件,其中所述触控组件是形成在所述第一面与所述第二面的至少其中一面上。

9.根据权利要求7所述的强化基底的方法,其特征在于,还包括:

在所述第一基底上形成一装饰层以及一遮蔽层,其中所述遮蔽层至少部分覆盖所述保护层以及所述装饰层。

10.根据权利要求7所述的强化基底的方法,其特征在于,还包括:

提供多个所述第一基底;

在各所述第一基底的所述第一面与所述第二面上分别贴附所述第一挡墙与所述第二挡墙;

将贴附有所述第一挡墙以及所述第二挡墙的所述第一基底互相堆栈;以及对贴附有所述第一挡墙以及所述第二挡墙的所述第一基底进行所述边缘涂胶工艺,用以在各所述第一基底的所述侧面上形成所述保护层。

11.根据权利要求7所述的强化基底的方法,其特征在于,还包括:

对所述保护层进行一研磨工艺,用以使所述保护层具有一研磨面,其中所述研磨面包括一第六面、一第七面以及一第八面,所述第六面与所述第八面与所述第一基底相接,所述第七面是位于所述第六面与所述第八面之间,且所述第六面、所述第七面以及所述第八面分别为一平面或一弧面。

12.根据权利要求11所述的强化基底的方法,其特征在于,所述保护层在所述研磨工艺之前的厚度大于或等于200微米,且所述保护层在所述研磨工艺之后的厚度大于或等于60微米。

13.根据权利要求11所述的强化基底的方法,其特征在于,还包括:

在所述研磨工艺之前,将超出所述第一挡墙以及所述第二挡墙的所述保护层移除。

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