[发明专利]一种低温PVT控制单晶生长包裹物缺陷的方法有效
| 申请号： | 201410492711.5 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104213195A | 公开（公告）日： | 2014-12-17 |
| 发明（设计）人： | 程红娟;司华青;李璐杰;徐永宽;练小正;张志鹏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B23/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 pvt 控制 生长 包裹 缺陷 方法 | ||
1.一种低温PVT控制单晶生长包裹物缺陷的方法，是基于有籽晶PVT法的体单晶生长法，步骤如下：
1）、采用PVT单晶炉，将原料（1）、籽晶（2）、衬底（3）放入指定位置，原料（1）和籽晶（2）由要生长的II-VI族单晶而定，衬底（3）通常采用蓝宝石、石英等热稳定性较高的抛光片；
2）、在单晶(6)生长初期2~6小时，籽晶（2）与衬底（3）间的缝隙在高温环境下进行聚集，形成大量包裹物缺陷（7），此时采用相对较高的腔体内气压800~1000mbar，并保持籽晶（2）处较大的温度梯度为15~30℃，以将单晶(6)的生长速率控制在0.05~0.15mm/小时以内，而增加包裹物缺陷（7）产生和移动的速率，促使包裹物缺陷（7）迅速移出晶体；
3）、当生长初期2~6小时结束后的生长期，逐渐降低气压100~400mbar，并降低籽晶（2）处单晶(6)的温度梯度2~10℃，以增加高质量晶体的生长速率至0.2~0.5mm/小时，抑制包裹物缺陷（7）的移动，使其滞留在籽晶（2）附近；
4）、生长期结束后迅速增加压强900~1100mbar，进一步降低籽晶（2）处温度梯度0~2℃，将包裹物缺陷（7）控制在较小的范围内；
5）、程序运行结束，取出生长管（4）及支撑结构（5），即可得到包裹物缺陷（7）分布集中的高质量II-VI族单晶(6)。
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