[发明专利]透明导电膜的制程在审
申请号: | 201410493156.8 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN105513710A | 公开(公告)日: | 2016-04-20 |
发明(设计)人: | 李炳寰;谢文俊 | 申请(专利权)人: | 亚树科技股份有限公司 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;C23C4/12;C23C4/04;H01B5/14 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄膜制程,特别是涉及一种透明导电膜的制程。
背景技术
随着科技的进步,人们对于光电产品的需求愈趋庞大。所述的光 电产品可如平面显示器、高阶智能型手机、触控平板电脑以及游戏机 等。而此等产品因同时要求良好的导电性及透光性,故大多会分别使 用到一透明导电膜来当元件,也因此透明导电膜的生产制造方法,成 为众业者是否能领先群雄的重要关键。
已知的透明导电膜包含一能透光的透明基材,以及一设置在该透 明基材上并用于导电的导电层。该导电层大多使用金属材料制成,然 而金属材料的导电性虽佳,但在一般状况下是不透光的。已知克服金 属不透光的方法是使该导电层形成具有数个网孔的网状结构。
已知用来控制该导电层的网状结构,并进一步地调控导电率与透 光率的方法有许多种。举例来说有将金属材料制成数条金属纳米线以 形成该导电层。然而此种方法所制造出来的所述金属纳米线存有长度 上的瓶颈,使得所制得的该导电层的透光率与导电率无法同时兼顾高 透过率与低方块电阻值的需求。美国US20090148701号专利案,利用 静电纺丝法解决上述问题,然而却因其制程中在形成该导电层后,需 在300至500℃间进行高分子的裂解与金属盐类的氧化还原反应,故 无法使用不耐高温的塑胶透明基材,导致能使用的透明基材种类受 限。因此,如何提供一种透明导电膜的制法,能在制造的过程中避免 因高温而破坏透明基材,是一值得开发研究的目标。
发明内容
本发明的目的在于提供一种透明导电膜的制程,在制程中不会出 现高温,而不会破坏所使用的透明基材。
本发明透明导电膜的制程,该制程包含准备材料步骤:准备一个 表面设置有一层导电层的透明基材;熔喷步骤:将一个高分子材料以 熔喷方式沉积至该导电层上,并形成一层由数条纤维构成的网状层; 蚀刻导电层步骤:将该导电层未受该网状层覆盖的部分蚀刻移除;及 移除网状层步骤:移除该网状层,并得到一片透明导电膜。
本发明所述的透明导电膜的制程,每一条纤维的直径为0.1μm~ 5μm。
本发明所述的透明导电膜的制程,在该蚀刻导电层步骤中,该导 电层被蚀刻后所留下的部位形成数条线条,每一条线条的宽度为 0.1μm~5μm。
本发明所述的透明导电膜的制程,所述线条共同界定出数个网 孔,每一个网孔的尺寸为1μm~500μm。
本发明所述的透明导电膜的制程,在该熔喷步骤中,该高分子材 料沉积的时间为0.1~60分钟,且在该移除网状层步骤中,该透明导 电膜的透光率为60%以上。
本发明所述的透明导电膜的制程,在该熔喷步骤中,该高分子材 料是加热至40~400℃,且用来协助喷射的纺丝气体的流速为0.1~ 200SCFM。
本发明所述的透明导电膜的制程,该透明基材是以透明玻璃、透 明陶瓷或透明塑胶制成。
本发明所述的透明导电膜的制程,该透明塑胶为聚对苯二甲酸乙 二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚 砜、环烯烃聚合物、三醋酸纤维素、聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚苯乙烯 或上述材料的任一种组合。
本发明所述的透明导电膜的制程,该导电层为金、银、铜、镍、 铝、钼、钕或上述材料的任一种组合。
本发明所述的透明导电膜的制程,该高分子材料为硅氧树脂、酚 树脂、改性天然酚树脂、环氧树脂、聚烯醇类树脂、纤维素树脂、聚 烯烃类树脂、苯乙烯类树脂、压克力树脂或上述材料的任一种组合。
本发明的有益效果在于:因在制程中该导电层与该透明基材不会 经过高温处理,故不会产生变形等劣化问题,除能选用的透明基材种 类较多外,更能达成本发明不破坏该透明基材的目的。
附图说明
图1是本发明透明导电膜的制程的一个第一实施例的一个步骤 流程图;
图2是该第一实施例的一个准备材料步骤中的一层导电层与一 个透明基材的一个局部剖视图;
图3是该第一实施例的熔喷步骤的一个示意图,同时显示一个熔 喷纺丝装置的构造;及
图4是该第一实施例的蚀刻导电层步骤及移除网状层步骤的一 个示意图,同时示意该第一实施例制得的一片透明导电膜。
具体实施方式
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