[发明专利]固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法以及电子设备有效
申请号: | 201410493747.5 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN104517982B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 冈治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 制造 方法 以及 电子设备 | ||
1.一种固态摄像装置,其包括:
摄像像素,其包括微透镜以及用于接收从所述微透镜入射的光的光电转换单元;以及
焦点检测像素,其包括微透镜、光电转换单元以及用于遮挡入射到所述焦点检测像素中的所述光电转换单元上的部分光的遮光单元,
其中,所述摄像像素中的所述微透镜和所述焦点检测像素中的所述微透镜形成为具有相同的形状和尺寸并且具有相同的材料,并且
所述焦点检测像素还包括形成在所述焦点检测像素中的所述微透镜的下层的具有比所述微透镜高的折射率的高折射率膜,所述摄像像素还包括形成在所述摄像像素中的所述微透镜的下层的具有比所述微透镜低的折射率的低折射率膜,或者所述摄像像素还包括形成在所述摄像像素中的所述微透镜的下层的波导。
2.如权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述摄像像素中的所述微透镜具有位于所述摄像像素中的所述光电转换单元上的集光点,并且所述焦点检测像素中的所述微透镜具有位于所述遮光单元上的集光点。
3.如权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述高折射率膜由SiN、丙烯酸系树脂、硅氧烷以及平坦化膜中的一者形成。
4.如权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述低折射率膜由SiO形成。
5.如权利要求3所述的固态摄像装置,其中,所述低折射率膜形成为具有如下厚度,该厚度对应于穿过所述摄像像素所具有的色彩滤光器的光的波长范围。
6.如权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述波导将从所述摄像像素中的所述微透镜入射的光引导至所述摄像像素中的所述光电转换单元。
7.如权利要求6所述的固态摄像装置,其中,所述波导由用于传输光的芯体以及用于对通过所述芯体传输的光进行封闭的包覆层构成,
所述芯体由高折射率材料形成,并且
所述包覆层由具有比所述高折射率材料低的折射率的低折射率材料形成。
8.如权利要求7所述的固态摄像装置,其中,所述芯体由SiN、丙烯酸系树脂以及硅氧烷中的一者形成。
9.如权利要求7所述的固态摄像装置,其中,所述包覆层由SiO形成。
10.一种固态摄像装置的制造方法,所述固态摄像装置包括摄像像素和焦点检测像素,所述摄像像素包括微透镜以及用于接收从所述微透镜入射的光的光电转换单元,所述焦点检测像素包括微透镜、光电转换单元以及用于遮挡入射到所述焦点检测像素中的所述光电转换单元上的部分光的遮光单元,所述固态摄像装置的制造方法包括:
在所述焦点检测像素中的所述微透镜的下层形成具有比所述微透镜高的折射率的高折射率膜,在所述摄像像素中的所述微透镜的下层形成具有比所述微透镜低的折射率的低折射率膜,或者在所述摄像像素中的所述微透镜的下层形成波导;并且
以相同的材料且以相同的形状和尺寸形成所述摄像像素中的所述微透镜和所述焦点检测像素中的所述微透镜。
11.一种包括如权利要求1-9中任一项所述的固态摄像装置的电子设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的