[发明专利]电极形成装置以及电极形成方法在审
申请号: | 201410493818.1 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN104517867A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 栗原弘邦;郡司升一;川野敬生;矢作睦行;桥本尚明 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H05K3/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 形成 装置 以及 方法 | ||
1.一种电极形成装置,其特征在于,具备:
焊剂涂覆单元,对基板涂覆焊剂;
多个球填充单元,在所述焊剂涂覆单元的下游侧串联地配置,对涂覆有焊剂的基板填充导电性球而形成电极;以及
绕行单元,向一个所述球填充单元输送基板,并且以绕行其他所述球填充单元的方式输送该基板。
2.根据权利要求1所述的电极形成装置,其特征在于,
所述绕行单元具有:
旁路路径,针对各个所述球填充单元并列地配置;以及
输送单元,分别介于所述焊剂涂覆单元以及多个所述球填充单元之间,将从自身的上游侧接受了的基板输送到下游侧的所述球填充单元以及所述旁路路径中的某一个。
3.根据权利要求1所述的电极形成装置,其特征在于,
多个所述球填充单元具有:
第1球填充单元,配置于所述焊剂涂覆单元的下游侧;以及
第2球填充单元,配置于所述第1球填充单元的下游侧,
所述绕行单元具有:
第1绕行单元,将由所述焊剂涂覆单元涂覆了焊剂的基板,绕行所述第1球填充单元地输送到所述第2球填充单元;以及
第2绕行单元,将由所述第1球填充单元填充了导电性球的基板,绕行所述第2球填充单元地输送到下游侧。
4.一种电极形成方法,其特征在于,包括:
焊剂涂覆工序,通过焊剂涂覆单元对基板涂覆焊剂;
球填充工序,通过串联地配置的多个球填充单元中的一个球填充单元,向在所述焊剂涂覆工序中涂覆了焊剂的基板填充导电性球来形成电极;以及
绕行工序,向一个所述球填充单元搬入基板,并且以绕行其他所述球填充单元的方式输送该基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造