[发明专利]电极形成装置以及电极形成方法在审
申请号: | 201410493818.1 | 申请日: | 2014-09-24 |
公开(公告)号: | CN104517867A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 栗原弘邦;郡司升一;川野敬生;矢作睦行;桥本尚明 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H05K3/34 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈华成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 形成 装置 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及将电极形成于基板的电极形成装置以及电极形成方法。
背景技术
在计算机、便携式电话、数字家电等中,搭载了BGA(Ball Grid Array,球栅阵列)、CSP(Chip Size Package,芯片尺寸封装)这样的表面安装型的电子部件。在这样的电子部件的背面,设置了多个半球状地形成了的电极(凸块)。通过在电子部件的背面设置电极,使基板和电子部件的接点数大幅增加,减小电子部件的安装面积而实现了小型化/高密度化。
在搭载有表面安装型的电子部件的基板中的、与电子部件的电极对应的部位,形成多个电极(凸块)。首先,经由在焊剂涂覆用的掩模中形成了的多个孔,将焊剂涂覆到基板上。进而,经由在导电性球填充用的掩模中形成了的多个孔,在上述焊剂上填充导电性球。
例如,在专利文献1中,记载了具备在晶片上涂覆焊剂的焊剂涂覆装置、和在涂覆了焊剂的晶片上填充导电性球的球填充装置的球搭载装置。
另外,在专利文献1记载的球搭载装置中,在一台焊剂涂覆装置的下游侧,配置了一台球填充装置。
现有技术文献
【专利文献1】日本专利第4933367号公报
发明内容
一般,在导电性球的填充处理中,需要比焊剂的涂覆处理更多的时间。例如,对于一个基板上涂覆焊剂的处理需要约30秒的时间,相对于此,对于导电性球的填充处理需要约60秒的时间。
如上所述,在专利文献1记载的球搭载装置中,将焊剂涂覆装置和球填充装置一台一台地串联配置。在该情况下,在基板的处理工序中球填充装置成为瓶颈(bottleneck)(即,在球印刷机中基板停滞),存在整个系统中的处理效率变低这样的问题。
因此,本发明的课题在于提供一种处理效率高的电极形成装置以及电极形成方法。
为了解决所述课题,本发明提供一种电极形成装置,其特征在于,具备:焊剂涂覆单元,在基板上涂覆焊剂;多个球填充单元,在所述焊剂涂覆单元的下游侧串联地配置,在涂覆有焊剂的基板中填充导电性球而形成电极;以及绕行单元,向一个所述球填充单元输送基板,并且以绕行其他所述球填充单元的方式输送该基板。
另外,在具体实施方式中,说明详细情况。
根据本发明,能够提供处理效率高的电极形成装置以及电极形成方法。
附图说明
图1是包括本发明的第1实施方式的电极形成装置的结构图,是从上方观察了装载机、电极形成装置、以及检查/修理装置的示意性的俯视图。
图2是与焊剂涂覆单元有关的图1的A-A向视剖面图。
图3是与第1球印刷机的球填充单元有关的图1的B-B向视剖面图。
图4是示出第1输送装置的处理的流程的流程图。
图5是示出第2输送装置的处理的流程的流程图。
图6是示出第3输送装置的处理的流程的流程图。
图7是按照(a)→(b)→(c)→(d)的顺序以时间系列来示出处理基板时的流程的示意性的说明图(俯视图)。
图8是包括本发明的第2实施方式的电极形成装置的结构图,是从上方观察了装载机、电极形成装置、以及检查/修理装置的示意性的俯视图。
图9是示出第3输送装置的处理的流程的流程图。
图10是比较例的电极形成装置的结构图(俯视图)。
符号说明
S、S1:电极形成装置;1:焊剂印刷机(焊剂涂覆单元);21:第1输送装置(绕行单元、输送单元、第1绕行单元);22:第2输送装置(绕行单元、输送单元、第2绕行单元);23:第3输送装置(绕行单元、输送单元);24:第4输送装置(绕行单元、输送单元);31:第1球印刷机;32:第2球印刷机;33:第3球印刷机;C313:第1旁路运输机(绕行单元、旁路路径、第1绕行单元);C323:第2旁路运输机(绕行单元、旁路路径、第2绕行单元);C333:第3旁路运输机(绕行单元、旁路路径);F:焊剂涂覆单元;G1:第1球填充单元(球填充单元);G2:第2球填充单元(球填充单元);G3:第3球填充单元(球填充单元);B:基板。
具体实施方式
《第1实施方式》
图1是包括本实施方式的电极形成装置的结构图,是从上方观察了装载机(loader)、电极形成装置、以及检查/修理装置的示意性的俯视图。另外,图1所示的粗线箭头以及虚线箭头分别表示基板B的输送路径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造