[发明专利]LED用电子封装圆片的热校平方法

说明书

本发明提供了一种LED用电子封装圆片的热校平方法，包括：第一步骤，将多片LED用电子封装圆片对其整齐地摆放在加热炉的校平模具板之间；第二步骤，在校平模具板的最上面放置配重块；第三步骤，设置加热炉的校平温度和保温时间，并且启动加热炉以便对所述多片LED用电子封装圆片进行热校平处理；第四步骤，使得所述多片LED用电子封装圆片在加热炉中冷却，随后取出冷却后的所述多片LED用电子封装圆片。其中在第三步骤中，热校平处理时，校平温度介于700～1500℃之间，升温速度为5～15°/min，保温时间为1～7小时，气氛为纯氢气。

技术领域

本发明涉及LED(Light Emitting Diode，发光二极管)制造领域，更具体地说，本发明涉及一种LED用电子封装圆片的热校平方法。

背景技术

LED灯芯片中的半导体层可将电流转化为光，半导体层由电子区(即N型掺杂区)和空穴区(即P型掺杂区)组成，电流通过半导体层，电子与空穴结合，以光子形式发出光。剩余能量以热辐射形式释放，温度可达85℃或更高。现有LED的基片衬底由于是蓝宝石或硅片组成，衬底的散热问题是LED灯寿命较小的最大因素。而且，随着对亮度的要求不断提高，对散热的需求会越来越大。

钼铜、钨铜、纯钼具有良好的高温性能和低膨胀系数，同以蓝宝石、硅片为代表的基板具有相同或相近的热膨胀系数，从而此材料作为基板的理想替代材料或理想补充材料。作为电子封装及热沉材料，对于材料的质量和性能具有更高的要求，不仅要求高的纯度和组织均匀、高的导电导热性和严格控制的热膨胀系数，还要求其具有良好的表面以及较低的平面度。

LED用电子封装圆片在使用时要进行切割划片，如果产品平面度不好，势必会影响最终芯片的尺寸。因此为了保证最终产品具有良好的平面度，必须进行校平。

校平工艺有机械校平和热校平。当金属变形抗力相当大，难以达到很高的平面度时，常常使用模具进行热校平。热校平的原理是将材料加热到金属再结晶温度以下某个适当的温度，这时由于材料变形抗力随温度升高而急剧下降，通过施加很小的外力，就能使板材内部的各层纤维组织趋于一致，达到校平的目的。同时，由于材料的组织没有发生转变，所以材料的机械性能没有显著降低。采用热校平工艺，具有质量稳定的优点，适合于大批量生产。

采用热校平工艺时，必须注意两个要点：一是合理的校平模具，模具材料屈服极限应高于板件热校平的抗力；二是热校平温度，热校平温度是金属再结晶温度以下的某一温度。但是，现有技术中压力加工后的LED用电子封装圆片平面度并不好。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的压力加工后的LED用电子封装圆片平面度不好的问题，提出了一种热校平方法。通过这种方法使得最终LED用圆片具有良好的平面度，而且环保无害，具有很高的生产效率。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种LED用电子封装圆片的热校平方法，包括：第一步骤，将多片LED用电子封装圆片对其整齐地摆放在加热炉的校平模具板之间；第二步骤，在校平模具板的最上面放置配重块；第三步骤，设置加热炉的校平温度和保温时间，并且启动加热炉以便对所述多片LED用电子封装圆片进行热校平处理；第四步骤，使得所述多片LED用电子封装圆片在加热炉中冷却，随后取出冷却后的所述多片LED用电子封装圆片。

优选地，在第三步骤中，热校平处理时，校平温度介于700～1500℃之间，升温速度为5～15°/min，保温时间为1～7小时。

优选地，第三步骤中，热校平处理时，校平温度为780℃，升温速度为10°/min，保温时间为2小时。

优选地，第三步骤中，热校平处理时的气氛为纯氢、氩气、真空。

优选地，所述校平模具的尺寸大于LED用电子封装圆片的尺寸。

优选地，所述校平模具是TZM合金板、氧化锆板、氧化铝板、碳化硅板和/或氮化硅板。