[发明专利]具有构造用于提供吸震功能的隆起组件的晶片级芯片尺寸封装装置在审
申请号: | 201410504259.X | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN104517932A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | V·汉德卡尔;K·坦比杜赖;V·S·斯里达拉恩 | 申请(专利权)人: | 马克西姆综合产品公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王琼 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 构造 用于 提供 功能 隆起 组件 晶片 芯片 尺寸 封装 装置 | ||
1.一种晶片级芯片尺寸封装装置,包括:
集成电路芯片;和
隆起组件阵列,设置在所述集成电路芯片上方,所述隆起组阵列包括多个第一隆起组件和多个第二隆起组件,多个第一隆起组件包括至少基本上包括焊料成分的焊料隆起,多个第二隆起组件包括具有焊芯的焊料隆起,所述焊芯配置成为所述集成电路芯片提供吸震功能。
2.如权利要求1所述的晶片级芯片尺寸封装装置,其特征在于,所述多个第二隆起组件靠近所述集成电路芯片的至少一个边缘设置。
3.如权利要求1所述的晶片级芯片尺寸封装装置,其特征在于,所述多个第二隆起组件绕所述集成电路芯片的周边设置。
4.如权利要求1所述的晶片级芯片尺寸封装装置,其特征在于,所述焊芯包括二乙烯基苯交联共聚物层。
5.如权利要求1所述的晶片级芯片尺寸封装装置,其特征在于,所述焊芯具有一定直径且所述焊芯的所述直径在约100μm到约350μm的范围内。
6.如权利要求1所述的晶片级芯片尺寸封装装置,其特征在于,所述集成电路芯片包括连结垫,且所述隆起组件包括隆起界面,所述隆起界面配置为提供所述焊料隆起和所述连结垫之间的界面边界。
7.如权利要求6所述的晶片级芯片尺寸封装装置,其特征在于,所述隆起界面包括隆起下金属化部分(UBM)。
8.一种电子装置,包括:
印刷电路板;和
晶片级封装装置,所述晶片级封装装置包括集成电路芯片,所述集成电路芯片具有设置在所述集成电路芯片上方的隆起组件阵列,所述隆起组件阵列包括多个第一隆起组件和多个第二隆起组件,所述多个第一隆起组件具有至少基本上由焊料成分构成的焊料隆起,所述多个第二隆起组件包括具有焊芯的焊料隆起,所述焊芯配置成为所述集成电路芯片提供吸震功能。
9.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述多个第二隆起组件靠近所述集成电路芯片的至少一个边缘设置。
10.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述多个第二隆起组件绕所述集成电路芯片的周边设置。
11.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述焊芯包括二乙烯基苯交联共聚物层。
12.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述焊芯具有一定直径且所述焊芯的所述直径在约100μm到约350μm范围内。
13.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,所述集成电路芯片包括连结垫,且所述隆起组件包括隆起界面,所述隆起界面配置为提供所述焊料隆起和所述连结垫之间的界面边界。
14.如权利要求13所述的电子装置,其特征在于,所述隆起界面包括隆起下金属化部分(UBM)。
15.一种制造方法,包括:
在晶片上形成隆起组件阵列,所述晶片配置为被分段成集成电路芯片,所述隆起组件阵列包括第一隆起组件和第二隆起组件,所述第一隆起组件至少基本上由焊料成分组成,所述第二隆起组件具有焊芯,所示焊芯配置成为所述晶片提供吸震功能;和
使得所述晶片分段,以从所述晶片分离集成电路芯片,用于形成晶片级封装装置,所述晶片级封装装置包括设置在所述集成电路芯片表面上方的多个第一隆起组件和多个第二隆起组件。
16.如权利要求15所述的制造方法,其特征在于,在所述晶片上形成所述隆起组件阵列包括:
将第一焊球置放模版施加到所述晶片,所述第一焊球置放模版具有在其中形成的第一孔配置;
将第一焊球通过所述第一孔配置置放在所述晶片上,所述第一焊球至少基本上由焊料成分组成:
从所述晶片去除所述第一焊球置放模版;
将第二焊球置放模版施加到所述晶片,所述第二焊球置放模版具有在其中形成的第二孔配置;
将第二焊球通过所述第二孔配置置放在所述晶片上,所述第二焊球在其中具有焊芯;
将所述第二焊球置放模版从所述晶片去除;和
对所述第一焊球和所述第二焊球进行回流焊,其中所述第一焊球回流焊以形成所述第一隆起组件的所述焊料隆起,并且,所述第二焊球回流焊以形成所述第二隆起组件的所述焊料隆起。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马克西姆综合产品公司;,未经马克西姆综合产品公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410504259.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功率半导体模块和用于制造功率半导体模块的方法
- 下一篇:半导体封装