[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，该方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法，其中，该方法具有：

蚀刻处理步骤，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液，进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；

磷酸再生步骤，将在上述蚀刻处理步骤中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸，在此磷酸再生步骤中，使上述已用蚀刻液与上述氢氟酸溶液中的至少任意一者为雾状或蒸气状后将上述已用蚀刻液与上述氢氟酸溶液混合；和

磷酸回收步骤，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，上述磷酸再生步骤中，将在上述蚀刻处理步骤中对一片上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对一片基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸。

3.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，

上述蚀刻处理步骤中，使一片一片地供给的各基板进行旋转，对上述旋转的基板的表面提供适量的蚀刻液，从而进行对上述基板的蚀刻处理，

上述磷酸再生步骤中，将已用蚀刻液提供至相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液中，直至上述蚀刻处理步骤中的上述预定片数的基板的处理结束为止，其中，所述已用蚀刻液为提供于上述旋转的基板的表面上的适量的蚀刻液从该基板的表面飞散后的蚀刻液。

4.如权利要求2所述的基板处理方法，其中，

上述蚀刻处理步骤中，使一片一片地供给的各基板进行旋转，对上述旋转的基板的表面提供适量的蚀刻液，从而进行对上述基板的蚀刻处理，

上述磷酸再生步骤中，将已用蚀刻液提供至相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液中，其中，所述已用蚀刻液为提供于上述旋转的基板的表面上的适量的蚀刻液从该基板的表面飞散后的蚀刻液。

5.一种基板处理方法，该方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法，其中，该方法具有：

蚀刻处理步骤，在上述蚀刻液中投入2个以上的基板，进行对上述2个以上的各基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；

磷酸再生步骤，将在上述蚀刻处理步骤中的蚀刻处理后剩下的已用蚀刻液和氢氟酸溶液两者制成雾状或蒸气状后在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和

磷酸回收步骤，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。

6.一种基板处理装置，该装置是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理装置，其中，该装置具有：

蚀刻处理部，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液，进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；

磷酸再生部，将在上述蚀刻处理部中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸，在此磷酸再生部中，使上述已用蚀刻液与上述氢氟酸溶液中的至少任意一者为雾状或蒸气状后将上述已用蚀刻液与上述氢氟酸溶液混合；和

磷酸回收部，将通过上述磷酸再生部得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理部使用的蚀刻液中。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其中，上述磷酸再生部中，将在上述蚀刻处理部中对一片上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对一片基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸。