[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法和装置。

背景技术

以往，提出了利用含有磷酸(H₃PO₄)的蚀刻液对形成有氮化膜(Si₃N₄)和氧化膜(SiO₂)的硅制半导体晶片(基板)进行处理的基板处理方法(参见专利文献1)。该基板处理方法中，在储存于蚀刻槽中的含有磷酸(H₃PO₄)的蚀刻液中投入2个以上的半导体晶片，对该2个以上的半导体晶片各个的蚀刻处理一并进行。在该蚀刻处理中蚀刻液中的磷酸作为催化剂发挥作用，将半导体晶片的氮化膜(Si₃N₄)除去。

并且，进行上述蚀刻处理而残留在蚀刻处理槽内的已用蚀刻液经由接收槽而被转移至再生装置的处理槽中。在储存有已用蚀刻液的处理槽内添加相对于上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液(HF)。在处理槽内，在比较高温的预定温度环境下，使含有由上述蚀刻处理所除去的基于氮化物的成分的已用蚀刻液与氢氟酸溶液(HF)混合并反应，从而再生磷酸(H₃PO₄)。该再生后的磷酸(H₃PO₄)返回至应在上述蚀刻处理中使用的蚀刻液中。

根据这样的基板处理方法，由蚀刻处理后残留的已用蚀刻液再生磷酸，该磷酸返回至应在蚀刻处理中使用的蚀刻液中，因此，能够有效利用磷酸的同时，继续进行用于除去氮化膜的针对半导体晶片的蚀刻处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4424517号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在上述的基板处理方法中，为了一并对大量的基板进行蚀刻处理，需要大型的蚀刻槽，并且，由于将对如此大量的基板一并进行蚀刻处理的程度的大量的已用蚀刻液储存在处理槽中并在该处理槽中适量添加氢氟酸溶液，在比较高温的预定温度环境下使已用蚀刻液与氢氟酸溶液反应，因此用于将大量的已用蚀刻液和针对其的大量的氢氟酸溶液保持在预定的温度环境下的设备变得大型化。另外，虽然1次再生的磷酸的量增多，但是，需要较长时间将大量的已用蚀刻液全体与氢氟酸溶液全体在处理槽内混合至能高效地发生反应，不能说一定能高效地进行磷酸的再生。

本发明是鉴于上述情况而完成的，提供在尽可能不使用大型设备的情况下就能够在蚀刻处理的同时更高效地再生出可返回至该蚀刻处理的磷酸的基板处理方法和基板处理装置。

用于解决课题的手段

本发明的基板处理方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法，在该方法的构成中具有：蚀刻处理步骤，对一片一片地供给的各基板提供适量的蚀刻液，进行对上述基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生步骤，将在上述蚀刻处理步骤中一片一片地对预定片数的上述基板进行处理后的那部分已用蚀刻液与相对于对上述预定片数的基板进行处理后的那部分上述已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收步骤，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。

利用这样的构成，不需要分批式那样的大型蚀刻槽(设备)就能够一片一片地进行基板的蚀刻处理，一片一片地对预定片数(也包括一片)的基板进行蚀刻处理后的那部分已用蚀刻液与相对于该已用蚀刻液的量为适量的氢氟酸溶液在预定的温度环境下混合，这些已用蚀刻液与氢氟酸溶液发生反应，从而再生出应返回蚀刻液中的磷酸。

在上述预定片数为一片的情况下，可以利用能够使对一片基板进行蚀刻处理后的那部分特别少量的已用蚀刻液与相对于该已用液体的量为适量的特别少量的氢氟酸溶液混合的设备，来再生上述磷酸。

本发明的基板处理方法是利用含有磷酸的蚀刻液对形成有氮化膜的硅制基板进行处理的基板处理方法，其中，在该方法的构成中具有：蚀刻处理步骤，在上述蚀刻液中投入2个以上的基板，进行对上述2个以上的各基板的蚀刻处理，从而除去氮化膜；磷酸再生步骤，将在上述蚀刻处理步骤中的蚀刻处理后剩下的已用蚀刻液和氢氟酸溶液两者制成雾状或蒸气状后在预定的温度环境下进行混合，从而再生磷酸；和磷酸回收步骤，将通过上述磷酸再生步骤得到的磷酸返回至应在上述蚀刻处理步骤使用的蚀刻液中。