[发明专利]覆铜积层板、印刷配线板及其使用方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有聚酰亚胺绝缘层与铜箔层的覆铜积层板、以及将所述覆铜积层板的铜箔层进行配线电路加工的印刷配线板及其使用方法。

背景技术

近年来，随着电子设备的小型化、轻量化、省空间化的进展，薄且轻量、具有柔性、即便反复弯曲也具有优异的耐久性的柔性印刷配线板(FPC；Flexible Printed Circuits)的需求增大。FPC在有限的空间内也可以实现立体且高密度的安装，因此例如在硬盘驱动器(Hard Disk Drive，HDD)、数字视频光盘(Digital Video Disc，DVD)、手机等电子设备的可动部分的配线、或电缆、连接器等零件中，其用途不断扩大。

除了所述的高密度化，设备的高性能化也取得进展，因此也要求应对传输信号的高频化。在信息处理或信息通信中，为了大容量信息的传输、处理，而进行提高传输频率的配合，印刷基板材料要求降低因绝缘层的薄化与绝缘层的低介电化带来的传输损失。使用以前的聚酰亚胺的FPC，由于聚酰亚胺的介电常数或介电正切高，在高频区域的传输损失高，因此难以应对高频化。因此，至今为止，为了应对高频化，而主要使用以低介电常数、低介电正切为特征的将液晶聚合物作为介电体层的FPC。然而，液晶聚合物虽然介电特性优异，但是在耐热性或与金属箔的粘接性上有改善的余地。

为了改善耐热性或粘接性，而提出将聚酰亚胺制成绝缘层的覆金属积层体(专利文献1)。根据专利文献1已知，通常借由高分子材料的单体使用脂肪族系单体而介电常数降低，但使用脂肪族(链状)四羧酸二酐而得的聚酰亚胺的耐热性明显低，因此无法用于焊接等加工，在实用上存在问题。另外，在专利文献1中，若使用脂环族四羧酸二酐，则与链状脂肪族四羧酸二酐相比，可以获得耐热性提高的聚酰亚胺。然而，此种聚酰亚胺膜虽然在10GHz时的介电常数为3.2以下，但介电正切超过0.01，介电特性仍不充分。

为了改善介电特性，而提出控制了与形成导体电路的铜箔接触的聚酰亚胺层的酰亚胺基浓度的覆铜积层板(专利文献2)。根据专利文献2，借由铜箔的表面粗糙度Rz及与铜箔接触的面的低酰亚胺基浓度的聚酰亚胺层的组合，而可以控制介电特性，但所述控制存在极限，传输特性也无法充分满足。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2004-358961号公报

[专利文献2]日本专利第5031639号公报

发明内容

[发明所要解决的课题]

本发明在于提供一种可以应对伴随着电子设备的小型化、高性能化的高频化的覆铜积层板、印刷配线板及其使用方法。

[解决课题的手段]

为了解决所述课题，本发明者等人着眼于铜箔的表皮效应(Skin Effect)而发现，借由使用具有特定表面状态的铜箔作为导体层，并且绝缘层使用具有特定介电特性的聚酰亚胺，而可以获得高频区域中的传输特性优异的FPC等电路基板，从而完成了本发明。

即，本发明的覆铜积层板具备聚酰亚胺绝缘层、及在所述聚酰亚胺绝缘层的至少一个面具备铜箔。本发明的覆铜积层板中，所述聚酰亚胺绝缘层具备：下述构成Ia及Ib：

Ia)热线膨胀系数为0ppm/K以上、30ppm/K以下的范围内；

Ib)根据下述数式(i)、

[此处，ε₁表示借由空腔共振器微扰法(Cavity Resonator Perturbation Method)的3GHz时的介电常数，Tanδ₁表示借由空腔共振器微扰法的3GHz时的介电正切(Dielectric Tangent)]

而计算的作为表示介电特性的指标的E₁值小于0.009；

而且，所述铜箔具备：下述构成c：

c)与所述聚酰亚胺绝缘层接触的面的平方平均粗糙度(Rq)为0.05μm以上、且小于0.5μm的范围内。

本发明的覆铜积层板中，所述介电常数可以为3.1以下，所述介电正切可以小于0.005。

本发明的覆铜积层板中，所述铜箔的与所述聚酰亚胺绝缘层接触的面的算术平均高度(Ra)可以为0.2μm以下。

本发明的覆铜积层板中，所述铜箔的与所述聚酰亚胺绝缘层接触的面的十点平均粗糙度(Rz)可以为1.5μm以下。

本发明的覆铜积层板中，所述聚酰亚胺绝缘层在10GHz时的介电常数可以为3.0以下，介电正切可以为0.005以下。