[发明专利]具有静电放电(ESD)保护的半导体布置有效

申请号：	201410507446.3	申请日：	2014-09-28
公开（公告）号：	CN104821315B	公开（公告）日：	2018-06-15
发明（设计）人：	陈佳惠;马威宇;陈国基	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	衬底半导体布置静电放电堆叠结构第一层焊盘可选通孔
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【权利要求书】：

1.一种半导体布置，包括：

第一衬底，包括：

第一PMOS器件；和

第一NMOS器件；

第二衬底，包括：

第一器件；和

第二器件；

静电放电(ESD)焊盘和连接至所述静电放电焊盘的静电放电器件，连接在所述第一器件和所述第二器件之间以保护所述第一PMOS器件和所述第一NMOS器件；以及

第一层间通孔，连接所述第一衬底和所述第二衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体布置，其中，所述第一PMOS器件连接至所述第一器件，所述第一器件连接至所述第二器件，以及所述第二器件连接至所述第一NMOS器件。

3.根据权利要求1所述的半导体布置，其中，所述第一器件和所述第二器件中的至少一个是第二PMOS器件、第二NMOS器件、第一电阻器和第二电阻器中的至少一个。

4.根据权利要求3所述的半导体布置，其中，所述第一器件是所述第二PMOS器件，而所述第二器件是所述第二NMOS器件。

5.根据权利要求3所述的半导体布置，其中，所述第一器件是所述第一电阻器，而所述第二器件是所述第二电阻器。

6.根据权利要求1所述的半导体布置，包括：

VDD电源，连接至所述第一PMOS器件；以及

VSS电源，连接至所述第一NMOS器件。

7.根据权利要求1所述的半导体布置，其中，所述第一衬底和所述第二衬底为堆叠结构。

8.一种半导体布置，包括：

第一衬底，包括：

第一PMOS器件；和

第一器件；

第二衬底，包括：

第一NMOS器件；和

第二器件；

第一层间通孔，连接所述第一衬底和所述第二衬底。

9.根据权利要求8所述的半导体布置，其中，所述第一PMOS器件连接至所述第一器件，所述第一器件连接至所述第二器件，以及所述第二器件连接至所述第一NMOS器件。

10.根据权利要求8所述的半导体布置，其中，所述第一器件和所述第二器件中的至少一个是第二PMOS器件、第二NMOS器件、第一电阻器和第二电阻器中的至少一个。

11.根据权利要求10所述的半导体布置，其中，所述第一器件是所述第二PMOS器件，而所述第二器件是所述第二NMOS器件。

12.根据权利要求10所述的半导体布置，其中，所述第一器件是所述第一电阻器，而所述第二器件是所述第二电阻器。

13.根据权利要求8所述的半导体布置，包括：

VDD电源，连接至所述第一PMOS器件；以及

VSS电源，连接至所述第一NMOS器件。

14.根据权利要求8所述的半导体布置，其中，所述第一衬底和所述第二衬底为堆叠结构。

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